半導体：EＵＶ周辺装置の開発：レーザーテック､東京エレクトロン（動画）：
Semiconductor: Development of EUV peripherals: Lasertec, Tokyo Electron:
半导体：EUV外设的开发：Lasertech，东京电子
半導体のＥＵＶ露光：
半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線（ＥＵＶ）露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。
ＡＳＭＬの存在：
蘭ＡＳＭＬが、最も重要な露光装置を独占している。
一方、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野で､日本メーカーが高いシェアを持つ。
しかし、先端ＥＵＶ関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。
日本のレーザーテック：
ＥＵＶ検査装置を手がけるレーザーテック。
７―９月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比２・６倍に増加。
需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。
ＥＵＶ露光用フォトマスク（半導体回路の原版）の欠陥検査装置で、同社が１００％のシェアを持つ。
現在のＥＵＶ露光用マスク検査：
現在、ＥＵＶ露光用マスク検査では、光源として、深紫外線（ＤＵＶ）光を用いている。
しかしＥＵＶ光の方が、ＤＵＶ光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。
５ナノメートルへの対応：
現在、最先端の回路線幅５ナノメートルでは、ＤＵＶ光でも対応できる。
２ナノメートルへの対応：
ただし、今後微細化が進み、２ナノメートル水準になってくる。
レーザーテック・三沢経営企画室長によると、
「ＤＵＶ光では、感度が足りない」とのこと。
「光源にＥＵＶ光を使った検査装置の需要」が、高まる。
東京エレクトロン：
ＥＵＶ向けコータ・デベロッパ（塗布現像装置）でシェア１００％。
東京エレクトロン：河合利樹社長
今後、新型ＥＵＶの導入で、「工程全般の技術革新」が進む。
「ＥＵＶに直接関連していない分野」での、工程数も増える。
「成膜装置やエッチング装置」など、周辺工程への波及効果を見込む。
ファウンドリー（半導体受託製造）：
台湾ＴＳＭＣ：
ＥＵＶを活用して、
２０２０年春に、回路線幅５ナノメートル半導体の量産を始めた。
２０２２年には、３ナノメートル半導体の量産も開始予定。
韓国サムスン電子：
５ナノメートル半導体を量産する。
今後ＥＵＶは、これまでのロジックＩＣに加え、ＤＲＡＭへの適用が進むと見られており、導入拡大が期待できる。
日立ハイテク：石和専務
「微細化の技術の限界よりも、経済合理性の限界が、先にくる」と予想する。
半導体の性能向上：
「立体化など、複数の半導体チップを縦に積む技術」が登場する。
微細化以外の方法で、半導体の性能を高めようとする動きも広がる。
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