EUV:リソグラフィー調達競争:TSMC、サムスン、SKハイ、インテル(動画):  EUV: Lithography Procurement Competition: TSMC,Samsung,SK Hynix,Intel:  EUV:光刻采购竞赛:台积电,三星,SK Hynix,英特尔

EUV:リソグラフィー調達競争:TSMC、サムスン、SKハイ、インテル(動画): 
EUV: Lithography Procurement Competition: TSMC,Samsung,SK Hynix,Intel: 
EUV:光刻采购竞赛:台积电,三星,SK Hynix,英特尔

ーインテルが、EUV投資を積極化ー

EUV適用数が拡大:  

半導体の微細化に伴い、EUVの適用レイヤー数が急増している。

EUVは現在、7/5nm世代といった先端ロジックの一部工程で、導入されている。

TSMCの動向:

  • 従来、N7では、4工程にEUVが適用されていた。
  • 現在、N5では、10工程にEUV適用が拡大した。
  • 今後、N3は、2022年から量産開始される予定。

近々、20工程までEUV適用が拡大する見込み。

TSMCが、量産ボリュームという意味で他を圧倒。

TSMCのEUV露光装置・保有台数が、群を抜いている。

サムスン電子:

ただ、サムスン電子は、「先端ロジックに加え、DRAMでのEUV露光装置の適用」を、予定している。

SKハイニックス:

メモリー大手・SKハイニックスも、ASMLとEUV購入に関する長期契約を契約した。

インテルの動向:

インテルも、今後EUV関連の投資を強めていく。

3月23日イベント:

最先端プロセスの製造を自社ファブで引き続き行っていくことを明言。

アリゾナ州内にファンドリー拡大のため、200億ドルを投じ、新工場を建設する。

  • 「2023年に量産予定の7nm世代」において、
  • EUV適用レイヤー数を2倍に増やし、
  • 製造プロセスを簡素化していく考え。

ASMLの供給見込み:

ASMLは、最も重要な露光装置について、「2021年に、40台強のEUV露光装置を出荷すること」を計画している。

TSMC・サムスンが、EUV投資を加速する中、「EUV市場の要求台数は、ASMLの年間製造キャパシティー(40~45台)」を上回る。

レーザーテックの供給見込み:

レーザーテックは、「露光波長を同じEUV光で検査が行えるアクティニック検査装置」を、世界で唯一製品化している。

「マスク/ブランクス欠陥検査装置を手がけるレーザーテックの供給能力」が、またEUV市場の制約となっている。

2017年には、

EUVブランクス欠陥検査/レビュー装置を市場に投入した。

2019年には、

パターン付きマスクのアクティニック検査が可能な「ACTIS A150」も製品化した。

「ACTIS A150」:

「ACTIS A150」は、「ペリクル(保護膜)を装着したEUVマスク検査で、必須の装置」である。

レーザーテックの供給能力が、大きな注目を集めていた。

ACTIS供給能力とリードタイム:

ACTISのリードタイムは、非常に長い。

  • 2021年2月決算カンファレンスにおいても、
  • 納期短縮に向けサプライヤーや協力工場と、
  • 協議を進めていることを明かした。

EUVのDPT導入、高NA化:

EUV は、「3nm以降の微細化に向けての技術革新」が求められる。

EUVのDPT適用:

「ArFなどの光リソでは一般化しているダブルパターニング(DPT)の適用」が検討されている。

EUVの高NA化:

その先には、「高解像度化に向け、高NAに対するニーズ」も高まっている。

マスク/ブランクス分野:

従来のバイナリーマスクから、位相シフトマスクへの移行が進む。

imec:

imecが、EUVペリクル新製品を開発した。

懸念となっていたペリクルについて、「CNT(カーボンナノチューブ)ベースで、高い透過率」を実現した。

ASML:

ASMLも、「ポリシリコンベースで、高透過率を実現したペリクルの成果」を発表する。

マスク/ブランクス分野全体で、大きな進展を見せている。

EUVは、従来の光リソとは全く異なった技術を採用し出した。

装置・材料分野にとっても、大きな事業機会と位置づけられている。

LIMO 

https://limo.media/articles/-/22968