NEDO：ウエハーのひずみ分布を可視化：
NEDO:웨이퍼의 변형 분포를 시각화:
NEDO:Visualisatie van de verdeling van de wafelrek:
NEDO:Visualization of wafer strain distribution:
NEDO：晶圓應變分佈的可視化
ーMipoxの「XS-1 Sirius」に実装ー
NEDO
名古屋大学
Mipox6月30日、
非破壊・低コストで、「半導体結晶ウェハ内部の結晶欠陥(転位)」を可視化した。
「キラー欠陥」：
製品の耐圧特性を劣化させる「キラー欠陥」
「キラー欠陥」を自動検査するシステムの共同研究を実施。
- 転位をカウントするシステム構築と、
- ウェハ全体の転位やひずみの分布を、
- 直感的にわかりやすく表示する。
ヒートマップ表示機能の開発に成功した。
Mipox
SiC結晶転位
高感度可視化装置「XS-1 Sirius」Mipoxが、
今回の2つの研究成果をベースに、
転位カウント・ヒートマップ表示機能を、Mipoxの製品「XS-1 Sirius」に実装した。
TECH+
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20220701-2385564/
半導体製造における検査工程の利便性向上や効率化に貢献：プレスリリース | NEDO
https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_101553.html
NEDO: 웨이퍼의 변형 분포를 시각화:
– Mipox의 “XS-1 Sirius”에 구현
NEDO
나고야 대학
Mipox
6월 30일,
비파괴·저비용으로, 「반도체 결정 웨이퍼 내부의 결정 결함(전위)」을 가시화했다.
“킬러 결함”:
제품의 내압 특성을 열화시키는 「킬러 결함」
「킬러 결함」을 자동 검사하는 시스템의 공동 연구를 실시.
전위를 카운트하는 시스템 구축과,
웨이퍼 전체의 전위나 변형의 분포를,
직관적으로 알기 쉽게 표시한다.
히트맵 표시 기능 개발에 성공했다.
Mipox
SiC 결정 전위
고감도 시각화 장치 「XS-1 Sirius」
Mipox,
이번 두 가지 연구 성과를 바탕으로,
전위 카운트·히트 맵 표시 기능을, Mipox의 제품 「XS-1 Sirius」에 실장했다.
TECH+
반도체 제조에서 검사 공정의 편의성 향상 및 효율화에 기여 : 보도 자료 | NEDO
NEDO: Visualisatie van de verdeling van de wafelrek:
-Geïmplementeerd in Mipox’s “XS-1 Sirius”-
NEDO
Universiteit van Nagoya
Mipox
30 juni
“Kristaldefecten (dislocaties) in halfgeleiderkristalwafels” werden gevisualiseerd met niet-destructieve en lage kosten.
“Killer defect”:
“Killer-defect” dat de weerstandsspanningskarakteristieken van producten verslechtert
Gezamenlijk onderzoek gedaan naar een systeem dat automatisch “killer defects” inspecteert.
Systeemconstructie om dislocaties te tellen en
Dislocatie en spanningsverdeling over de wafel
Intuïtief en eenvoudig weergeven.
Het is gelukt om een functie voor het weergeven van een warmtekaart te ontwikkelen.
Mipox
SiC kristal dislocatie
Hooggevoelig visualisatieapparaat “XS-1 Sirius”
Mipox,
Op basis van de resultaten van deze twee onderzoeken
De dislocatietelling / warmtekaartweergavefunctie is geïmplementeerd in het product “XS-1 Sirius” van Mipox.
TECH +
Draagt bij aan het verbeteren van het gemak en de efficiëntie van inspectieprocessen in de productie van halfgeleiders: Persbericht | NEDO
Design of automatic detection algorithm for dislocation contrasts in birefringence images of SiC wafers
– IOPscience
Abstract
Birefringence imaging
is one of the powerful methods for non-destructive characterization of defects in the semiconductor crystals.
However, due to the complicated and unclear contrasts of dislocations in the birefringence image,
it was considered to be difficult to automatically detect the position of the dislocation contrasts by the conventional image processing.
In the present study,
we designed the automatic detection algorithm for the dislocation contrasts taking into account the characteristic feature of the dislocation contrasts, which were always pair of black and white contrasts.
To detect the large change in the contrast level near the dislocation contrast,
the automatic detection algorithm
was constructed by using a variance filter.
Finally,
we succeeded in detecting the position of the dislocation contrasts with relatively high precision and sensitivity.
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abde29/meta