欠陥を自動で検出 出典：Mipox
結晶転位高速観察装置「XS-1 Sirius」 出典：Mipox
Mipox：SiCパワー半導体生産性を大幅向上：欠陥を非破壊・自動検出（動画）：
Mipox: Productivity of SiC power semicon: Non-destructive､auto detect：
Mipox：SiC功率半导体的生产率显着提高：缺陷的无损自动检测
Mipoxと名古屋大学：
「パワー半導体の生産性を大幅に高める欠陥特定システム」を共同開発した。
SiCなどを材料とする半導体基板中の
- 結晶欠落の種類や位置、
- キラー欠陥を非破壊で、
- 自動的に検出する。
SiC（炭化ケイ素）の難点：
SiCには、結晶欠落（転位）が含まれる。
特に、性能や信頼性、デバイスの歩留まりの低下をもたらす「キラー欠陥」を含む。
そのため、価格が高止まりし、普及の妨げになっている。
複屈折イメージングで可視化：
共同研究では、SiCなど半導体基板に含まれる多くの転位を解析。
「複屈折イメージング」で可視化し、転位のゆがみをとらえた。
シミュレーションとML（機械学習）：
転位の種類や位置を非破壊で自動的に検出するシステムを開発。
キラー欠陥を特定するシステムを開発した。
FAニュース – MONOist
https://monoist.atmarkit.co.jp/mn/articles/2102/05/news025.html
産総研・名古屋大：最新のSiC・GaNウェーハ観察装置「XS-1」を採用
Mipox社：
Mipox社が、「XS-1」を産総研・先進パワーエレクトロニクス研究センター及び、名古屋大学に納入しました。
SiC結晶転位・高感度可視化装置 XS-1：
単結晶SiC・GaNウェーハ内部の、結晶転位による内部の歪みを可視化し、観察します。
単結晶ウェーハ欠陥の観察が重要：
“SiC・GaN”は、次世代パワー半導体の新たな材料として大きな注目を集めています。
これらの市場の拡大を支えるため、単結晶ウェーハに含まれる結晶欠陥の観察も重要です。
“XS-1”は、従来の市販の偏光顕微鏡よりも、遥かに高感度な偏光光学系を搭載しています。
- パワー半導体デバイスの特性や、
- パワー半導体デバイスの信頼性に、
- 悪影響を及ぼす可能性のある、結晶転位に由来した、
「結晶内部歪みの可視化による観察」を実現しています。
産総研の研究結果：
「SiCウェーハの結晶転位に対するXS-1の感度」は、「放射光X線トポグラフィーに匹敵すること」が確認されました。
名古屋大でも、GaNウェーハ用の結晶転位可視化装置として採用されました。
Mipox(マイポックス)とは：
研磨材・研磨装置メーカーであり、光学観察・可視化装置の販売。
革新的なXS-1により、SiC・GaNをはじめとする次世代パワー半導体材料や、
サファイア・AlN・ダイヤモンド等の結晶転位観察の精度・スループットの飛躍的な向上が大きく期待されます。
「XS-1」：
https://product.mipox.co.jp/products/observation/item_30
https://product.mipox.co.jp/product_info/20171201_xs-1.html
共同研究「半導体製造の生産性を向上させるキラー欠陥自動検査システムの開発」