自动检测缺陷 来源：Mipox
晶体错位高速观测装置“ XS-1 Sirius”来源：Mipox
Mipox：SiC功率半导体的生产率显着提高：缺陷的无损自动检测
Mipox和名古屋大学：
我们共同开发了一种“缺陷识别系统，可以大大提高功率半导体的生产率。”
在由SiC等制成的半导体衬底中
缺少晶体的类型和位置，
非破坏性杀手缺陷
自动检测。
碳化硅（SiC）的难点：
SiC含有晶体损耗（位错）。
特别是，它包括降低性能，可靠性和设备良率的“致命缺陷”。
结果，价格居高不下，阻碍了其广泛使用。
双折射成像的可视化：
在联合研究中，我们分析了半导体衬底（例如SiC）中包含的许多位错。
通过“双折射成像”进行可视化以捕获位错的畸变。
仿真和ML（机器学习）：
开发了一种以无损方式自动检测脱位类型和位置的系统。
我们已经开发了识别致命缺陷的系统。
足总新闻
https://monoist.atmarkit.co.jp/mn/articles/2102/05/news025.html
AIST /名古屋大学：采用最新的SiC / GaN晶圆观察装置“ XS-1”
痘痘：
Mipox已向AIST /高级电力电子研究中心和名古屋大学交付了“ XS-1”。
SiC晶体位错/高灵敏度可视化装置XS-1：
可视化并观察由于单晶SiC / GaN晶片内部的晶体位错而引起的内部应变。
观察单晶晶片缺陷很重要：
作为下一代功率半导体的新材料，“ SiC / GaN”引起了广泛的关注。
观察单晶晶片中包含的晶体缺陷对于支持这些市场的扩展也很重要。
“ XS-1”配备了一个偏振光学系统，该系统比传统的市售偏振显微镜要敏感得多。
功率半导体器件的特性和
为了功率半导体器件的可靠性
源自晶体位错，可能会产生不利影响，
实现了“通过可视化观察晶体内部畸变”。
AIST的研究成果：
证实了“ XS-1对SiC晶片的晶体位错的敏感性”与“同步辐射X射线形貌可比”。
名古屋大学也将其用作GaN晶片的晶体位错可视化设备。
什么是Mipox：
研磨和抛光设备制造商，并出售光学观察和可视化设备。
借助创新的XS-1，下一代功率半导体材料，例如SiC和GaN，以及
预期将大大提高蓝宝石，AlN，金刚石等晶体位错观测的准确性和产量。
“ XS-1”：
https://product.mipox.co.jp/products/observation/item_30
https://product.mipox.co.jp/product_info/20171201_xs-1.html
共同研究“开发自动杀手缺陷检查系统以提高半导体制造的生产率”