佐贺大学：成功量产2英寸金刚石晶片：半导体功率器件
-通过使用阶梯流增长的新原理实现-
9 月 9 日
Adamand Namiki 精密宝石：
利用金刚石晶体生长方法的新原理，开发了2英寸金刚石晶片的量产技术。
实现了半导体器件所需的质量。
佐贺大学理工学部
和诚教授：
到目前为止，作为一项联合研究，我们开发了自己的方法“微针法”。
开发微针方法
在金刚石层晶体生长过程中，
一根直径几微米、长度几十微米的金刚石针，
可以制造以10μm的间隔排列的层状结构。
肯赞钻石：
制造1英寸金刚石晶片（商品名：KENZAN Diamond）。
在 KENZAN 晶圆上，
基于新的操作原理，
制造金刚石半导体功率器件。
2021 年 4 月有报道称，已经获得了高输出功率特性。
微针法的缺点：
但是，微针方法达不到工业应用所需的2英寸。
微针法制造工艺复杂，制造成本高。
这次，使用蓝宝石板：
所以这一次，
在 Adamant Namiki Precision Jewels 中，
通过“使用蓝宝石衬底生长金刚石晶体”，
成功发现金刚石膜的应力降低。
用蓝宝石衬底实现大直径：
使用从传统晶面取向稍微倾斜的蓝宝石衬底进行金刚石晶体生长。
通过利用这项技术，
不使用微针
确认可以增加直径。
最后，他说他成功地长出了一块 2 英寸的金刚石晶片。
功率半导体特性测量：
测量了“由 2 英寸金刚石晶片制成的功率半导体器件的特性”。
确认可以输出345 MW/cm2的输出功率。
本研究结果：
9月13日“第82届JSAP秋季会议”
“使用阶梯流生长的高质量异质外延金刚石”
将在。
技术+
https://news.mynavi.jp/article/20210909-1968752/
功率半导体用金刚石晶片量产成功
– 2010 年商业化用于 6G 基站-
旨在研究和大规模生产更大的直径。
2025年4英寸晶圆
2030年8英寸晶圆
与氮化镓比较：
金刚石晶片功率半导体
与使用GaN的情况相比
高输出和出色的散热。
对于 6G 通信基站和电动汽车：
用于6G通信基站和电动汽车的功率控制。
新开关
Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer – IOPscience
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/abf445