NCT：6英寸氧化镓功率半导体成膜：
新型晶体技术 (NCT)
孙日清
东京农工大学
宣布用氧化镓制成的功率半导体成功形成6英寸薄膜。
氧化镓
功率半导体
这一次，可以在大晶片上形成薄膜。
未来，晶圆制造成本可以大大降低。
由氧化镓制成的功率半导体具有极高的降低电动汽车功耗的效果。
日本经济新闻
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC019BJ0R00C22A3000000/
世界上第一个使用 HVPE 方法在 6 英寸晶圆上成功成膜的氧化镓。
NEDO：“战略节能技术创新计划”
Novell 晶体技术
太阳日清
东京农工大学
氧化镓（β-Ga2O3）作为下一代半导体材料备受关注。
我们在世界上首次通过卤化物气相沉积 (HVPE) 方法成功地在 6 英寸晶圆上成膜。它是
6英寸晶圆成膜：
这个结果是
大口径外延片生产β-Ga2O3量产成膜设备研发取得重大进展。
大口径、低成本：
这将导致β-Ga2O3外延片实现大直径和低成本，这一直是成膜成本的问题。
β-Ga2O3功率器件：
如果 β-Ga2O3 功率器件普及，
产业机械用电机控制用逆变器、住宅用太阳能发电系统用逆变器、下一代电动汽车等可期待节能。
诺晶科技有限公司
https://www.novelcrystal.co.jp/2022/3236/