日本：迅速崛起的"GaN功率半导体"：SiC、GaN、Ga2O3

日本：迅速崛起的“GaN功率半导体”：SiC、GaN、Ga2O3

-耗电一半的领先企业-

经济产业省：

6月，经济产业省宣布

宣布了“到2030年将功率半导体的功耗降低到目前水平的一半”的目标。

功率半导体的功耗：

为了实现数量减半的目标，“超高效率的下一代功率半导体、SiC、GaN、Ga2O3等”将投入实际应用。

支持功率半导体的研发，支持半导体供应链的资金投入。

GaN功率半导体：

目前，GaN功率半导体价格昂贵。

另一方面，GaN功率半导体可以实现高效、高耐用的器件。

专注于领先的日本公司：

日本钢铁工业：

建成了GaN单晶衬底量产示范设施。

三菱化学：

今年5月，它宣布在日本钢铁厂M＆E Muroran Works的场地内共同建造了量产GaN单晶衬底的示范设施。

将进行4英寸基板量产的示范实验。

市场供应计划从 2010 年初开始。

住友化学：

2015 年收购日立金属的 GaN 衬底和 GaAs 外延片业务。

推动下一代化合物半导体材料的发展。

2010年开始量产4英寸功率半导体用单晶基板。

2012年，我们将准备在日本全面扩展4英寸板所需的生产系统。

住友电工：

世界上第一个使用GaN的超高速晶体管（GaN-HEMT）投入实际使用。

其5G基站用GaN-HEMT的市场份额居世界第一。

GaN 器件用于高频段。

随着通信网络的发展和更高频段的使用，预计需求将进一步增加。

米痘：
名古屋大学：

联合研究“半导体制造生产力的提高，杀手缺陷自动检测系统的开发”

宣布被NEDO的“公私青年研究人员发现支持项目”采用。

据说通过非破坏性地可视化晶片内部包含的晶体缺陷，生产率将得到显着提高。

氧化物：

6月，我们将开始出货适用于GaN薄膜单晶生长的新材料单晶衬底“SAM”的样品。

单晶衬底“SAM”

通过使用 SAM，确保了比以前更高的产量。

可以期待高性能GaN薄膜单晶的实现。

据说未来会加速开发量产。

除了这个，

富士通总则：
新电源制造：

一家子公司使用 GaN 开发功率模块。

岩津电机：

从事GaN功率半导体开发的测量仪器和评估设备

萨姆科：

我们为GaN器件的量产提供化学气相沉积（CVD）设备和干蚀刻设备。

新闻专栏-Y!财经