住友化学：量产 GaN 4 英寸单晶衬底：下一代 HVPE 方法
-GaN衬底销售额超过100亿日元-
-住友化学的目标是什么？ ——
住友化学：
采用下一代气相沉积 (HVPE) 方法的氮化镓 (GaN) 单晶衬底。
销售额将翻三倍，超过 100 亿日元。
4寸尺寸量产：
2022年开始量产4英寸功率半导体用单晶衬底。
2024年，我们将准备在日本全面扩展4英寸尺寸基板所需的生产系统。
2英寸激光光源基板：
目前，住友化学在高亮度投影仪和激光光源的2英寸基板市场占有率很高。
利用先进技术的积累，我们将量产4英寸基板，并将其应用扩展到功率半导体。
与子公司 Siox 的现有设备一起推出。
6寸板量产：
我们已经成功制作了一块6英寸的板子，并加快了量产技术的建立。
氮化镓衬底：
氮化镓衬底
与硅功率半导体衬底相比
显着提高开关速度，
此外，该装置可以小型化。
我们将开发用于个人计算机和服务器电源的应用程序，并以车载应用程序为目标。
住友化学的下一代 HVPE 方法：
住友化学将 HVPE 方法的缺陷减少到传统方法的百分之一或更少。
确立下一代制造技术。
功率半导体要求的质量：
符合大功率半导体所需的质量。
住友的技术是
以锯齿形生长晶体，
用缺陷互相打击
一种相互抵消的机制。
还，
在 GaN 衬底上外延生长 GaN 晶体时
使用 HVPE 方法开发了一种提高外延层质量的技术。
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