三菱化学：量产大口径GaN单晶衬底：2、4、6英寸衬底
-实现了下一代EV技术和非接触式充电-
三菱化学：
三菱化学对大直径GaN单晶衬底的量产寄予厚望。
EV非接触充电技术的实现：
可在驾驶时对电动汽车 (EV) 进行非接触式充电的下一代 EV 技术即将实现。
GaN单晶衬底：
GaN单晶衬底为
可以在更高的电流下工作，
实现高耐压功率半导体，
电子设备可以做得更高效、更小。
新材料为电动汽车开辟了新的可能性。
三菱化学：
藤户武：
EV 非接触式充电系统在行驶中，
用于驱动轮毂电机
需要 GaN 上的 GaN。
已安装板生产设备：
三菱化学与日本钢铁厂合作，在北海道室兰市，
安装了能够生产 2、4 和 6 英寸基板的批量生产设施。
市场供应将于 2022 年初开始。
采用液相生长法：
本设备采用“液相生长法”。
与传统的气相生长相比，缺陷密度可以抑制到 1/100 到 1/1000。
实现液相生长方法需要制造条件的重大突破。
开发液相生长方法大约需要10年时间。
单晶再沉淀：
液相生长法是在高温高压下进行的。
对于超临界状态的液氨，
熔化 GaN 多晶，
从那里，单晶被重新沉积。
传统的：
为了熔化GaN，它被提高到2000个大气压，但大型设备无法承受这种压力。
这次：
三菱化学为氨设计了一种添加剂矿化剂，以便在 1000 个大气压下可以溶解大量的 GaN（藤户先生）。
与日本钢厂的合作：
“开发可承受1000个大气压的大型装置”是极其困难的。
这是通过“与拥有石英晶体合成技术和大型设备技术的日本钢厂合作”实现的。
使用领域：
预计通过液相方法增加直径有助于设备的发展。
下一代电动汽车技术和
电机小型化，
高输出高亮度光源，
信息通信领域，
新开关
Completion of the world’s largest manufacturing facility for gallium nitride (GaN) substrates
The Japan Steel Works, LTD.
Mitsubishi Chemical Corporation
have completed construction of a demonstration facility for mass production of gallium nitride (GaN) single-crystal substrates in the premises of the Muroran Plant of Japan Steel Works in collaboration.
We will conduct verification tests for mass production of 4-inch GaN single-crystal substrates throughout FY2021, and start market supply FY2022. 1.
Background GaN is a material used to create ultra-high-efficiency devices,
employing its enhanced efficiency and durability.
In addition, it is expected to have an environmental benefit
since the material can reduce CO2 emissions with a drastic reduction of power consumption.
Promising applications of GaN not only include blue LEDs
but the fields listed below as well:
1 High-power and high-intensity light source GaN is expected to be applied to high-intensity and high-power lasers, high-efficiency illumination, and new-generation displays.
2 Telecommunications GaN will contribute to 5th Generation Mobile Communication System (5G) such as high- frequency devices and optical communication devices that can
instantaneously transmit and
receive large amounts of data, and
even to post-5G. GaN,
with a higher processor frequency than currently prevailing silicone substrates, can also contribute to power saving of servers and base stations.
3 Power semiconductor In recent years, demands for power semiconductors that allow the downsizing of devices and instruments in particular have been increasing.
While silicone substrates currently predominate, demands for high-voltage power semiconductors that can attain higher-current operations are rising more than ever.
https://www.m-chemical.co.jp/en/news/2021/__icsFiles/afieldfile/2021/06/09/GaNeng.pdf