三菱化学：4英寸GaN晶体制造技术：“SCAAT-LP”
-全球最大的GaN衬底制造示范设施-
日本制铁所
三菱化学
对于电力电子，
我们正致力于大直径块状氮化镓 (GaN) 衬底的示范开发。
4英寸GaN晶体的制造：
使用于 2021 年 5 月建成的世界上最大的 GaN 衬底制造示范设施。
开发“SCAAT-LP”：
我们开发了“SCAAT-LP”，这是一种用于高质量 GaN 衬底的低成本制造技术。
4英寸GaN晶体测试：
我们正在进行晶体生长测试，以批量生产 4 英寸 GaN 衬底。
确认 4 英寸 GaN 晶体按计划生长。
2022年市场供应：
未来，日本钢铁工业和三菱化学将继续在大型示范设施中进行晶体生长测试。
它将实现更高的生产力，并将从 2022 年初开始供应市场。
Motor-FanTECH。
https://motor-fan.jp/tech/article/7946/
NEDO：制造世界上最大的GaN衬底
-使用演示设备确认生长4英寸GaN晶体-
尼多：
[1] 大型示范设备平稳运行
日本制铁所
三菱化学
大型示范设施于2021年5月开始运行。
由于进行了多次晶体生长测试，
我们还提前确认了每个过程的安全性和生产率没有大问题。
[2] 在 4 英寸 GaN 衬底上确认晶体生长
正在使用大型示范设施进行晶体生长测试。
我们已经确认可以生长 4 英寸的晶体。
在长期高压釜操作期间确认了整个晶体生长区域的生长。
“SCAATTTM-LP”：
开发的晶体生长技术“SCAATTTM-LP”甚至可以在大型演示设施中复制。