Taiyo Nippon Sanso：GaN晶体生产设备开发：批量生产高质量块状晶体
-功率器件开发的突破-
日本三洋太阳社/东京农业科技大学/ JST
发展概况：
Taiyo Nippon Sanso联合开发了可实现高速，高质量和持续增长的GaN晶体生产系统。
Taiyo Nippon Sanso基于东京农业科技大学的专利技术，开发了传统的HVPE方法。
开发了基于三卤化物气相外延（THVPE）的设备（图1和2）。
三氯化镓-氨反应系统用于在更高的温度（约1200-1400度）下生长晶体。
常规方法：
就成本和晶体质量而言，传统方法无法生产“电子设备所需的实用GaN晶体”。
该方法：
我们开发了一种GaN晶体生产系统，该系统使用“三氯化镓-氨反应系统”实现了高速，高质量，连续的生长。
可以“廉价生产高质量的块状晶体”，并且有望成为“高性能GaN器件开发的突破”。
将来，我们计划主要与GaN衬底制造商合作。
累积GaN晶体增厚的成果，我们实现了“廉价，高质量GaN块状晶体的批量生产”。