住友电工开发高质量的6英寸SiC衬底：将“CrystEra®”商业化
住友电工：
2020年5月11日，我们成功推出了“ CrystEra”，这是一种新型的高质量6英寸（直径150mm）SiC单晶衬底。
用于功率器件的6英寸（直径150毫米）SiC单晶衬底，具有低位错密度和减小的厚度变化和翘曲。
从2020财年下半年开始，我们计划将开发的基板应用于SiC外延基板产品。
6英寸SiC单晶衬底：“晶体时代”
新商业化的6英寸SiC单晶衬底“ CrystEra”是
除了公司的化合物半导体技术外，
内置高精度仿真
利用充分利用我们专有技术“ MPZ1”的生长反应器。
此外，通过“构造适用于硬而脆的SiC的加工技术”，成功地实现了“尽管位错密度低但仍减小了厚度变化和翘曲”。
EE Times日本
https://eetimes.jp/ee/spv/2005/13/news025.html
高质量SiC 6英寸单晶衬底“CrystEra®”的成功商业化
2020年5月11日
住友电工：
住友电工已成功开发出用于6英寸SiC功率器件的单晶衬底“CrystEra®”。
从2020财年下半年开始，将开始在我们的SiC外延衬底“EpiEra®”上应用。
电源设备：
它是用于功率控制的半导体器件，并用于各种领域，例如电力，铁路，汽车和家用电器。
节能观点：
效率更高
低功耗
需要高性能的设备。
供应链：
基板-外延基板-器件
SiC（碳化硅）是功率器件中最热的半导体材料之一。
但是，供应链还不稳定。
在SiC市场上，“对集成生产/衬底-外延衬底-器件的可能制造商的期望”正在增加。
此外，随着应用范围的扩大，“对更高材料质量的期望”也在增加。
我们的原始技术：“MPZ®”
这次，我们充分利用了我们的原始技术“MPZ®” * 1。
利用生长反应器
适用于硬而脆的SiC
通过构建处理技术，
我们已经成功地商业化了用于碳化硅功率器件的6英寸（直径150毫米）基板（产品名称为“CrystEra®”），该基板具有低位错密度，减小的厚度变化和翘曲。
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