NEDO：开发具有单晶金刚石基板的GaN-HEMT：用于移动通信基站和卫星通信
NEDO /三菱电机/国家先进工业科学与技术研究所
‘多晶硅结构GaN-HEMT’：
开发出世界上第一个’多单元结构GaN-HEMT’。
介绍多单元氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）。
这次，我们采用了高导热率的单晶金刚石作为散热基板。
将来，它将安装在移动通信基站和卫星通信系统的高频功率放大器中。
“多单元结构GaN-HEMT”显着提高了功效并降低了功耗。
传统技术：GaN-HEMT的缺点：在高功率操作期间产生热量
近年来，高功率和高效率的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT * 1）已经用于移动通信基站和卫星通信的高频功率放大器中。
然而，GaN-HEMT存在的问题是，由于高输出操作期间的热量产生，电流不容易流动。
现有技术：单晶金刚石的直接键合：高导热率作为散热基板
这次，我们成功地直接键合了单晶金刚石（具有高导热率作为散热基板）。
开发出“多晶硅结构GaN-HEMT”，通过单晶金刚石的直接键合实现了高功率和高效率。
通过安装“多单元结构GaN-HEMT”，可以显着提高高频功率放大器的输出密度和功率效率。
有助于降低移动通信基站和卫星通信系统的功耗。