富士通：GaN HEMT，冷却系统的简化和小型化：雷达系统的小型化
富士通/富士通实验室：
在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的表面上开发了世界上第一个“形成高散热金刚石膜的技术”。
GaN HEMT：常规问题
GaN HEMT用于功率放大器，例如气象雷达。
雷达系统中使用的晶体管产生的热量更多，这是因为距离越远，输出功率越高。
由于发热导致性能下降，因此需要冷却装置。
由于包括空调设备的整个系统昂贵且安装位置受到限制，因此冷却装置的简化和小型化成为问题。
GaN HEMT：这一发展
富士通在室温下成功地使用“ GaN HEMT基板和单晶金刚石结合技术（* 4）”有效地从GaN HEMT的背面散热。
但是，为了获得更高的散热效果，还需要形成在表面侧散热性优异的金刚石膜的技术。
一般的金刚石膜形成温度为“非常高，约900℃”，因此存在“破坏GaN HEMT”的问题。
这次，我们开发了一种技术，可在低温（约650°C且不破坏GaN HEMT的情况下）上在GaN HEMT的表面上形成具有高散热性的金刚石膜，并将运行过程中产生的热量减少40％。成功。
这使得可以简化冷却系统并减小使用GaN HEMT的雷达系统的尺寸。
该技术的详细信息将在12月1日星期日至12月6日星期五在美国波士顿举行的2019年MRS秋季会议暨材料科学展览会上宣布。
富士通