NEDO:単結晶ダイヤモンド基板のGaN-HEMT開発：移動体通信基地局､衛星通信（動画）：
NEDO:GaN-HEMT with single crystal diamond substrate:mobile stations/satellite systems：
NEDO：开发具有单晶金刚石基板的GaN-HEMT：用于移动通信基站和卫星通信
NEDO/三菱電機/産業技術総合研究所
’マルチセル構造のGaN-HEMT’：
世界で初めて､’マルチセル構造のGaN-HEMT’を開発。
マルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の登場です。
今回、高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に採用しました。
今後、移動体通信基地局や衛星通信システムの高周波電力増幅器に搭載予定。
’マルチセル構造のGaN-HEMT’は、電力効率を飛躍的に向上させ、低消費電力化を図ります。
従来の技術：GaN-HEMTの欠点：高出力動作時の発熱
近年、移動体通信基地局や衛星通信の高周波電力増幅器において、高出力で高効率な窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT※1）の利用が拡大しています。
しかし、GaN-HEMTには、高出力動作時の発熱で､電流が流れにくくなるといった課題がありました。
今回の技術：単結晶ダイヤモンドの直接接合：放熱基板として高い熱伝導率
今回、単結晶ダイヤモンド（放熱基板として高い熱伝導率を持つ）の直接接合に成功。
単結晶ダイヤモンドの直接接合により、高出力・高効率化を実現した’マルチセル構造のGaN-HEMT’を開発。
’マルチセル構造のGaN-HEMT’を搭載すれば、高周波電力増幅器の出力密度・電力効率が飛躍的に向上。
移動体通信基地局や衛星通信システムなどの低消費電力化に貢献します。