産総研：世界最高性能の窒化ガリウム圧電薄膜をRFスパッタ法で作製 20170831
ポイント
金属配向層上に成長させることで、良質な窒化ガリウム配向薄膜をRFスパッタ法で作製
スカンジウムの添加により圧電性能が飛躍的に向上
センサーやエナジーハーベスターとしての応用の他、製造技術への波及効果にも期待
AIST: World’s highest performance gallium nitride piezoelectric thin film is fabricated by RF sputtering method
point
By growing on the metal alignment layer, a high quality gallium nitride oriented thin film is fabricated by RF sputtering method
Piezoelectric performance improved dramatically by addition of scandium
In addition to application as a sensor and energy harvester, it also expects a spillover effect on manufacturing technology
AIST：世界上最高性能的氮化镓压电薄膜是通过RF溅射法制成的
通过在金属取向层上生长，通过RF溅射法制造高质量的氮化镓取向薄膜
通过添加钪，压电性能显着提高
除了作为传感器和能量收集器的应用，它还预计对制造技术的溢出效应
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170831_2/pr20170831_2.html