AIST：世界上最高性能的氮化镓压电薄膜是通过RF溅射法制成的   20170831

By AIST, JPN

 

AIST：世界上最高性能的氮化镓压电薄膜是通过RF溅射法制成的

通过在金属取向层上生长，通过RF溅射法制造高质量的氮化镓取向薄膜

通过添加钪，压电性能显着提高

除了作为传感器和能量收集器的应用，它还预计对制造技术的溢出效应

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170831_2/pr20170831_2.html

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