🎗東京エレクトロン、スピン・トランスファー・テクノロジーズと、次世代MRAMの開発に向け協力
Spin Transfer Technologies, Inc.：STTと東京エレクトロン（TEL）は、SRAMおよびDRAMを代替する次世代MRAMデバイスの実現に向けた協業契約を結んだことをお知らせします。
これにより、かつてない高速、高密度、書き換え寿命を備えた高性能不揮発性メモリデバイス開発の加速が期待されます。
STTのスピン注入MRAM（ST-MRAM）技術と、TELのMRAM向け先端PVD成膜装置を組み合わせることにより、高性能デバイスを短期間で開発することが可能となります。
この協業において、STTは垂直磁気トンネル接合（pMTJ）を含むデバイス製造技術を提供し、TELは業界トップのST-MRAM成膜装置と磁性薄膜の成膜に関する独自の知識を投入します。
この契約は、SRAMや将来的にはDRAM代替市場に向けて有力なソリューションを提供するというお互いの目標に合致します。
2017年 | ニュース | 東京エレクトロン株式会社