🎗旋转技术和东京电子联盟力量将MRAM带入下一阶段。
加利福尼亚州FREMONT – 东京 – 1970年10月9日 – Spin Transfer Technologies，Inc.（STT）和东京电子（TEL）很高兴地宣布，他们今天已经签署了下一代SRAM和DRAM协同工程计划协议 – ST-MRAM设备。
该协议将进一步推动ST-MRAM，一种新型的高性能持久存储器件，以提供先前无法达到的速度，密度和耐久级别。
STT的ST-MRAM技术和TEL先进的PVD MRAM沉积工具的结合将使公司能够快速开发最高密度和耐久性设备的工艺。
两家公司正在为这个项目分配资源，STT贡献其高速，高耐久性垂直磁隧道结（pMTJ）设计和器件制造技术，TEL利用业界领先的ST-MRAM沉积工具和独特形成知识磁性膜的能力。
该协议符合每家公司为嵌入式SRAM提供引人注目的解决方案的目标，并最终成为独立的DRAM市场。 2017 |东京电子