大陽日酸：ＧａＮの結晶製造装置開発：高品質なバルク結晶大量生産（動画）：
Taiyo Nippon Sanso:GaN crystal production equipment:high-quality bulk crystals：
Taiyo Nippon Sanso：GaN晶体生产设备开发：批量生产高质量块状晶体
～パワーデバイス開発への突破口に～
大陽日酸/東京農工大/JST
開発の概要：
- 大陽日酸が、高速、高品質、連続成長を実現するＧａＮ結晶製造装置を共同開発しました。
- 東京農工大学の特許技術をもとに、大陽日酸が、従来のＨＶＰＥ法を発展させました。
- トリハライド気相成長法（ＴＨＶＰＥ法）（図１、２）による装置を開発。
より高温（１２００～１４００度程度）で、結晶を成長させる’三塩化ガリウム－アンモニア反応系’を用いています。
従来の手法：
従来の手法では、コストと結晶品質の面で、｢電子デバイスに要求される実用的なＧａＮ結晶｣を作れません。
今回の手法：
’三塩化ガリウム－アンモニア反応系’により、高速、高品質、連続成長を実現するＧａＮ結晶製造装置を開発しました。
｢安価で高品質なバルク結晶の大量生産｣が可能で、｢高性能ＧａＮデバイス開発への突破口になる｣と期待されます。
今後、ＧａＮ基板メーカーを中心に協業予定。
ＧａＮ結晶の厚膜化の実績を蓄積し、｢安価で高品質なＧａＮバルク結晶の大量生産｣を実現します。