住友化学：ＧａＮ・４インチ単結晶基板を量産：次世代ＨＶＰＥ法（動画）：
Sumitomo Chem: GaN 4-inch single crystal substrate: Next-gen HVPE method:
住友化学：量产 GaN 4 英寸单晶衬底：下一代 HVPE 方法
ーＧａＮ基板の売上高100億円超へー
ー住友化学が狙う領域は？ー
住友化学：
次世代気相成長（ＨＶＰＥ）法による窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶基板。
売上高を現在の３倍強の１００億円超へ引き上げる。
４インチサイズを量産：
2022年、パワー半導体向けに４インチサイズ単結晶基板の量産販売を開始。
2024年、国内で本格的な４インチサイズ基板拡大に必要な生産体制を整える。
レーザー光源用２インチ基板：
現在住友化学は、高輝度プロジェクター向け・レーザー光源用２インチ基板で、高シェアを握る。
高度技術の蓄積を生かして４インチ基板を量産し、パワー半導体に用途を広げる。
子会社・サイオクスの既存設備で立ち上げる。
６インチ基板を量産：
６インチ基板の試作に成功しており量産技術確立を急ぐ。
ＧａＮ基板：
ＧａＮ基板は、
- シリコンのパワー半導体用基板に比べ、
- スイッチング速度を、大幅に速め、
- かつ、デバイスを小型化できる。
パソコンやサーバー電源用途などを開拓し、車載用途も狙う。
住友化学の次世代ＨＶＰＥ法：
住友化学は、ＨＶＰＥ法の課題の欠陥を、従来の１００分の１以下に低減する。
次世代の製造技術を確立した。
パワー半導体の要求品質：
高度パワー半導体の要求品質に対応する。
住友の技術は、
- 結晶をジグザグに成長させ、
- 欠陥同士をぶつけて、
- 打ち消し合う仕組み。
また、
ＧａＮ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させる際、
ＨＶＰＥ法を用いて、エピタキシャル層の品質向上技術を開発した。
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