ＪＳＴ：ＩＧＺＯと次世代機能性材料を融合:強誘電体メモリー（ＦｅＦＥＴ）： JST:new device combining IGZO and next-generation functional material： JST：成功开发出结合IGZO和新一代功能材料的新设备
Category: memory
東北大：新磁気トンネル接合(MTJ)開発：車載スペック･150℃環境クリア（動画）： Tohoku Univ:new magnetic tunnel junction (MTJ): Vehicle spec150 ° C clear： 东北大学：开发新的磁隧道结（MTJ）：车辆规格·150°C环境清晰
東芝メモリ：QLC技術で、96層BiCS FLASHメモリーを開発： Toshiba Memory Develops 96-Layer BiCS FLASH with QLC Technology： 东芝内存采用QLC技术开发96层BiCS FLASH
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