東芝メモリ：QLC技術で、96層BiCS FLASHメモリーを開発：　 Toshiba Memory Develops 96-Layer BiCS FLASH with QLC Technology：　东芝内存采用QLC技术开发96层BiCS FLASH

東芝メモリ：QLC技術で、96層BiCS FLASHメモリーを開発：　
Toshiba Memory Develops 96-Layer BiCS FLASH with QLC Technology：　
东芝内存采用QLC技术开发96层BiCS FLASH

カリフォルニア州サンノゼ、2018年7月19日 –

本日、東芝メモリ米子会社・東芝メモリアメリカ株式会社（TMA）が、96層・BiCS FLASHTMのサンプルサンプル開発を発表しました。

これは、セル当たり4ビット（クワッドレベルセル、QLC）技術を有する3次元（3D）フラッシュメモリーです。

この画期的な技術により、シングルチップメモリー容量を、最高レベルに高めることができます。

TOSHIBA MEMORY | Americas

Toshiba’s flash chips could boost SSD capacity by 500 percent