东芝内存采用QLC技术开发96层BiCS FLASH
加利福尼亚州圣何塞，2018年7月19日 – 东芝内存公司（Toshiba Memory Corporation）在美国的子公司Toshiba Memory America，Inc。（TMA）今天宣布开发96层BiCS FLASHTM原型样品，其专有三 尺寸（3D）闪存，具有每单元4位（四级单元，QLC）技术。
凭借这一里程碑式的成就，东芝通过提供将单芯片内存容量提升到最高水平的技术，展示了其在存储市场的技术领先地位1。
TOSHIBA MEMORY | Americas
https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2018/07/memory-20180719-1.html
Toshiba’s flash chips could boost SSD capacity by 500 percent
https://www.engadget.com/amp/2018/07/20/toshiba-flash-166-gb-per-chip/