东芝内存：XL-FLASH™（SCM）样品发货：128千兆（Gb）芯片产品

东芝内存：XL-FLASH™（SCM）样品发货：128千兆（Gb）芯片产品

2019年8月6日

东芝记忆：

我们开发了一种新的存储级存储器（SCM）XL-FLASH™。

样品装运开始。

使用128千兆位（Gb）芯片[1]的产品样品将于9月开始供OEM客户使用。

大规模生产计划于2020年开始。

XL-FLASH™（SCM）：128千兆位（Gb）芯片

该产品采用96层层压工艺。

该产品可使用1位/单元SLC技术高速读写3D闪存BiCS FLASH™。

XL-FLASH™：实现高速

采用16个物理平面结构，具有出色的并行处理能力。

开发电路技术，实现高速。

实现’读出延迟为5μs或更短’，速度提高10倍（与现有TLC（3位/单元）BiCS FLASH™相比）

XL-FLASH™：新的内存层次结构/ SCM

该产品定位为新的存储器层次结构和SCM，可弥补DRAM和NAND闪存之间的性能差距。

与传统DRAM相比，该产品可降低每比特成本。

支持NAND闪存等大容量的非易失性存储器。

XL-FLASH™：应用领域

我们将通过XL-FLASH™响应不断扩大的SCM市场的需求，包括用于数据中心和企业存储的高速SSD。

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