東芝メモリー：XL-FLASH™（SCM）サンプル出荷：128 Gigabit (Gb) chip製品（動画）：
Toshiba Memory:XL-FLASH ™ (SCM) sample shipment:128 Gigabit (Gb) chip products：
东芝内存：XL-FLASH™（SCM）样品发货：128千兆（Gb）芯片产品
2019年 8月 6日
東芝メモリー：
新しいストレージクラスメモリ（SCM）であるXL-FLASH™を開発しました。
サンプル出荷を開始します。
9月からOEM顧客向けに128 ギガビット (Gb) チップを用いた製品［注1］のサンプル出荷を開始します。
量産は2020年に開始する予定です。
XL-FLASH™（SCM）：128 ギガビット (Gb) チップ
本製品は、96層積層プロセスを用いています。
3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™を､1ビット/セルのSLC技術を用いて、高速読出し、書込み出来る製品です。
XL-FLASH™：高速化の実現
並列処理に優れた16物理プレーン構造採用。
高速化を実現する回路技術を開発。
10倍高速となる’5μs以下の読出しレイテンシー’を実現（既存TLC（3ビット/セル）のBiCS FLASH™との比較）
XL-FLASH™：新メモリ階層･SCM
DRAMとNAND型フラッシュメモリの性能差を埋める新しいメモリ階層･SCMに位置づけられる製品。
本製品は従来のDRAMよりも､ビットあたりコストを低減できます。
NAND型フラッシュメモリのように大容量に対応した不揮発性メモリ。
XL-FLASH™：利用分野
当社は、データセンターおよびエンタープライズストレージ向けの高速SSDへの搭載をはじめ、XL-FLASH™によって、今後、拡大するSCM市場のニーズに対応してまいります。
東芝メモリ
https://business.toshiba-memory.com/ja-jp/company/news/news-topics/2019/08/corporate-20190806-1.html