半導体:EUV周辺装置の開発:レーザーテック、東京エレクトロン(動画):
Semiconductor: Development of EUV peripherals: Lasertec, Tokyo Electron:
半导体:EUV外设的开发:Lasertech,东京电子
半導体のEUV露光:
半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。
ASMLの存在:
蘭ASMLが、最も重要な露光装置を独占している。
一方、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野で、日本メーカーが高いシェアを持つ。
しかし、先端EUV関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。
日本のレーザーテック:
EUV検査装置を手がけるレーザーテック。
7―9月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比2・6倍に増加。
需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。
EUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。
現在のEUV露光用マスク検査:
現在、EUV露光用マスク検査では、光源として、深紫外線(DUV)光を用いている。
しかしEUV光の方が、DUV光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。
5ナノメートルへの対応:
現在、最先端の回路線幅5ナノメートルでは、DUV光でも対応できる。
2ナノメートルへの対応:
ただし、今後微細化が進み、2ナノメートル水準になってくる。
レーザーテック・三沢経営企画室長によると、
「DUV光では、感度が足りない」とのこと。
「光源にEUV光を使った検査装置の需要」が、高まる。
東京エレクトロン:
EUV向けコータ・デベロッパ(塗布現像装置)でシェア100%。
東京エレクトロン:河合利樹社長
今後、新型EUVの導入で、「工程全般の技術革新」が進む。
「EUVに直接関連していない分野」での、工程数も増える。
「成膜装置やエッチング装置」など、周辺工程への波及効果を見込む。
ファウンドリー(半導体受託製造):
台湾TSMC:
EUVを活用して、
2020年春に、回路線幅5ナノメートル半導体の量産を始めた。
2022年には、3ナノメートル半導体の量産も開始予定。
韓国サムスン電子:
5ナノメートル半導体を量産する。
今後EUVは、これまでのロジックICに加え、DRAMへの適用が進むと見られており、導入拡大が期待できる。
日立ハイテク:石和専務
「微細化の技術の限界よりも、経済合理性の限界が、先にくる」と予想する。
半導体の性能向上:
「立体化など、複数の半導体チップを縦に積む技術」が登場する。
微細化以外の方法で、半導体の性能を高めようとする動きも広がる。
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