半導体:EUV周辺装置の開発:レーザーテック、東京エレクトロン(動画):  Semiconductor: Development of EUV peripherals: Lasertec, Tokyo Electron: 半导体:EUV外设的开发:Lasertech,东京电子

半導体:EUV周辺装置の開発:レーザーテック、東京エレクトロン(動画): 
Semiconductor: Development of EUV peripherals: Lasertec, Tokyo Electron:
半导体:EUV外设的开发:Lasertech,东京电子

半導体のEUV露光:

半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。

ASMLの存在:

蘭ASMLが、最も重要な露光装置を独占している。

一方、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野で、日本メーカーが高いシェアを持つ。

しかし、先端EUV関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。

日本のレーザーテック:

EUV検査装置を手がけるレーザーテック。

7―9月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比2・6倍に増加。

需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。

EUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。

現在のEUV露光用マスク検査:

現在、EUV露光用マスク検査では、光源として、深紫外線(DUV)光を用いている。

しかしEUV光の方が、DUV光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。

5ナノメートルへの対応:

現在、最先端の回路線幅5ナノメートルでは、DUV光でも対応できる。

2ナノメートルへの対応:

ただし、今後微細化が進み、2ナノメートル水準になってくる。

レーザーテック・三沢経営企画室長によると、

「DUV光では、感度が足りない」とのこと。

「光源にEUV光を使った検査装置の需要」が、高まる。

東京エレクトロン:

EUV向けコータ・デベロッパ(塗布現像装置)でシェア100%。

東京エレクトロン:河合利樹社長

今後、新型EUVの導入で、「工程全般の技術革新」が進む。

「EUVに直接関連していない分野」での、工程数も増える。

「成膜装置やエッチング装置」など、周辺工程への波及効果を見込む。

ファウンドリー(半導体受託製造):

台湾TSMC:

EUVを活用して、

2020年春に、回路線幅5ナノメートル半導体の量産を始めた。

2022年には、3ナノメートル半導体の量産も開始予定。

韓国サムスン電子:

5ナノメートル半導体を量産する。

今後EUVは、これまでのロジックICに加え、DRAMへの適用が進むと見られており、導入拡大が期待できる。

日立ハイテク:石和専務

「微細化の技術の限界よりも、経済合理性の限界が、先にくる」と予想する。

半導体の性能向上:

「立体化など、複数の半導体チップを縦に積む技術」が登場する。

微細化以外の方法で、半導体の性能を高めようとする動きも広がる。

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