💡世界初、単結晶ダイヤモンドと炭化シリコンを常温で接合する技術を開発 2017/12/7

By Semi conductor, Diode

💡世界初、単結晶ダイヤモンドと炭化シリコンを常温で接合する技術を開発

富士通株式会社（以下、富士通）と株式会社富士通研究所 は、炭化シリコン（SiC）（注2）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を世界で初めて開発しました。本技術を高出力窒化ガリウム（GaN）（注3）高電子移動度トランジスタ（HEMT）（注4）の放熱に活用することで、高出力での安定動作を可能にします。

レーダーや無線通信の長距離化・高出力化に伴い、デバイスの発熱量が増大し性能や信頼性に影響を及ぼすため、デバイスの熱を効率的に冷却装置に伝え冷却する必要があります。

富士通

http://pr.fujitsu.com/jp/news/2017/12/7.html

http://www.fujitsu.com/global/about/resources/news/press-releases/2017/1207-01.html

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