富士通：従来比3倍・GaN HEMTを開発ーレーダーの観測範囲が2.3倍：
Fujitsu Successfully Triples the Output Power of Gallium-Nitride Transistors：
富士通成功地将镓氮化物晶体管的输出功率提高了三倍
富士通研究所が、気象レーダー・パワーアンプ（増幅器）に適用可能な、GaN・高電子移動度トランジスタ（HEMT）を開発しました。
このGaN HEMTは、大電流化と高電圧化を同時に達成する結晶構造を持っています。
マイクロ波帯の送信用トランジスタとして、従来比3倍の高出力化を達成。
本技術を気象レーダーなどに適用することで、レーダーの観測範囲を約2.3倍に拡大しました。
ゲリラ豪雨を発生する積乱雲を、早期に発見することが出来ます。
富士通
http://pr.fujitsu.com/jp/news/2018/08/10.html
Fujitsu Successfully Triples the Output Power of Gallium-Nitride Transistors – Fujitsu Global
http://www.fujitsu.com/global/about/resources/news/press-releases/2018/0810-01.html