産総研：次世代不揮発性磁気抵抗メモリ：電圧駆動MRAM（動画）：
AIST: Next-gen non-volatile magnetoresistive memory: Voltage-driven MRAM:
AIST：下一代非易失性磁阻存储器：电压驱动 MRAM
ー原子層制御、素子の平坦性・磁気安定性を改善ー
－次世代不揮発性磁気抵抗メモリーMRAMの開発－
開発の概要：
タンタルを採用：
原子層レベルで制御されたタンタルを、下地に用い、磁気記憶層の平坦化に成功した。原子拡散を抑制：
磁気安定性および電圧磁化制御効率の劣化要因となる原子拡散を抑制超低消費電力を実現：
超低消費電力な次世代磁気抵抗メモリーMRAMの実現に期待産総研
新原理コンピューティング
不揮発メモリチーム研究チーム：
原子層レベルで制御されたタンタルを採用しました。
MRAMの磁気安定性を、飛躍的に改善する技術です。
注目の電圧磁化制御技術：
電圧により、強磁性金属からなる磁気記憶層の磁化を制御。
「電圧磁化制御技術は、MRAMの消費電力を低減するキーテクノロジー」として、注目されている。
電圧駆動MRAM：
今回開発した磁気記憶層を用いた電圧駆動MRAM。
書き込み時の電流を極限まで抑えることができる。
駆動電力を大幅に低減：
現在主流のSTT-MRAMは、電流書き込み方式。
電圧駆動 MRAM は、STT-MRAMに比べて駆動電力を大幅に低減できる。
超低消費電力な次世代MRAMの実現につながる。
https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210721/pr20210721.html