💡産総研：1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

💡産総研：1200ボルトクラスのショットキーバリア・ダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

－ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－

ポイント

1. 1200 V耐圧クラスのトランジスタの量産レベル試作品で内蔵ダイオードが順方向劣化しないことを実証
2. ショットキーバリアダイオード（トレンチSBD）内蔵のSiC縦型トレンチMOSFET（トランジスタ）を開発
3. HEVやEV向けのオール炭化ケイ素（SiC）パワーモジュールの高効率化・高信頼性化に貢献

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20171205/pr20171205.html