💡AIST：开发1200伏特肖特基势垒二极管的SiC晶体管
– 为实现混合动力汽车（HEV）/电动汽车（EV）的高效率和高可靠性电源模块 –
点
- 证明内置二极管不会在1200 V电压等级晶体管的批量生产水平原型正向恶化
- 开发了内置肖特基势垒二极管（沟槽SBD）的SiC垂直沟槽MOSFET（晶体管）
- 为HEV和EV全碳化硅（SiC）功率模块提供更高的效率和更高的可靠性
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20171205/pr20171205.html