AIST：下一代非易失性磁阻存储器：电压驱动 MRAM
-原子层控制，提高器件平整度和磁稳定性-
-下一代非易失性磁阻存储器MRAM的开发-
发展概况：
采用钽：
使用在原子层级控制的钽作为基础，我们成功地平整了磁存储层。
抑制原子扩散：
抑制导致磁稳定性和电压磁化控制效率变差的原子扩散
实现超低功耗：
有望实现超低功耗的下一代磁阻存储器MRAM
AIST
新原理计算
非易失性存储器团队
研究团队：
采用原子层级控制的钽。
这是一项显着提高 MRAM 磁稳定性的技术。
特色电压磁化控制技术：
电压控制由铁磁金属制成的磁存储层的磁化。
“电压磁化控制技术作为降低 MRAM 功耗的关键技术而备受关注。”
电压驱动 MRAM：
使用新开发的磁存储层的电压驱动 MRAM。
写入时的电流可以被抑制到极限。
驱动功率显着降低：
目前主流的STT-MRAM是目前的一种写法。
与 STT-MRAM 相比，电压驱动的 MRAM 可以显着降低驱动功率。
这将导致实现具有超低功耗的下一代 MRAM。
https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210721/pr20210721.html