AIST：开发碳化硅单片电源IC：单芯片集成

AIST：开发碳化硅单片电源IC：单芯片集成

—世界第一！ SiC垂直MOSFET和SiC CMOS的单芯片集成—

发展概况：

通过在一个芯片上集成 SiC 垂直 MOSFET 和 SiC CMOS 来演示开关操作
开发了独特的器件结构，以实现 SiC CMOS 的增加输出电流和高压绝缘
预计通过减小尺寸、重量、性能和功能来扩展电源转换设备的应用。

“AIST”：

使用碳化硅 (SiC) 半导体。

耐压 1.2 kV 级垂直 MOSFET 和
CMOS构成的驱动电路，
制造集成在同一芯片上的单片电源IC，
我们确认了集成单片电源 IC 的开关操作。

SiC 单片电源 IC 的挑战：

传统上，SiC单片功率IC已被用于“功率转换设备的小型化和轻量化以及降低损耗”。

但，

实现 SiC CMOS 的高输出电流和高压绝缘是一个难题。

开发了新的集成器件结构：

这一次，我们新开发了 AIST 独有的设备结构。

除了 SiC CMOS 的高压绝缘外，同时实现了增加的输出电流。

检查开关操作：

通过这项技术，CMOS 驱动电路与 SiC 垂直 MOSFET 集成在同一芯片上。

制造集成SiC单片功率IC并在世界上首次展示开关操作。

这次开发的技术：

为集成 SiC 传感器和 SiC 逻辑电路等功能铺平道路的成就。

可以预期扩大电力转换设备的应用。

2050 碳中和实现：

迈向 2050
应用电力电子技术的电力转换设备，
需要在各地大量引进。

电源转换设备：

小巧轻便、高性能、高功能
拓展电力转换设备的应用，
这对于大规模引进极为重要。
在这方面发挥核心作用的功率器件的创新是必不可少的。

这次开发的技术：

这些成就为 SiC 传感器和 SiC 逻辑电路的功能集成铺平了道路。

预计未来电力转换设备的应用范围将会扩大。

该技术的详细信息将于 2021 年 5 月 30 日至 6 月 3 日在网上介绍。

第 33 届功率半导体器件和 IC 国际研讨会 (ISPSD)