ＪＳＴ：ＩＧＺＯと次世代機能性材料を融合:強誘電体メモリー（ＦｅＦＥＴ）：
JST:new device combining IGZO and next-generation functional material：
JST：成功开发出结合IGZO和新一代功能材料的新设备
～メモリーデバイスの低消費電力化、高速化、大容量化に期待～
科学技術振興機構（ＪＳＴ）,
東京大学 生産技術研究所
2019年６月１０日
８ナノメートル（ｎｍ）の金属酸化物半導体ＩＧＺＯ注１）をチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリー（ＦｅＦＥＴ）注２）の開発に成功しました。
本技術により、
サブスレッショルド係数は理想的な６０ミリボルト／デック（ｍＶ／ｄｅｃ）、
メモリーウィンドウは０．５ボルト（Ｖ）以上
高移動度で低電圧動作可能な優れたメモリー特性を実現しました。
本研究
界面層の形成と電荷トラップの影響を抑制し、３次元積層構造でも高い読み出し電流を得るために、
金属酸化物半導体ＩＧＺＯをチャネルとする強誘電体ＨｆＯ２ゲート絶縁膜ＦｅＦＥＴを提案しました。
このデバイス構造を用いると、ＩＧＺＯと強誘電体ＨｆＯ２の間で誘電率の低い界面層の形成を抑えることができます。
ポイント
シリコンチャネルでは誘電率の低い界面層が形成されてしまい、低電圧動作が難しく信頼性が低いことが問題だった。
極薄の金属酸化物半導体ＩＧＺＯをチャネルとして、スイッチング特性に優れた高移動度なトランジスター型強誘電体メモリーの開発に成功した。
この技術によりＩｏＴデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される。