JST：成功开发出结合IGZO和新一代功能材料的新设备
预期低功耗，高速，大容量存储器件
日本科学技术厅（JST），
东京大学工业科学研究所
2019年6月10日
我们成功开发了具有8纳米（nm）金属氧化物半导体IGZO注1的沟道的晶体管型铁电存储器（FeFET）注2）。
通过这项技术，
亚阈值系数是每平台60毫伏（mV / dec）的理想值，
存储器窗口为0.5伏（V）或更高
我们实现了出色的存储特性，可在低电压和高移动性下工作。
这项研究
为了抑制界面层的形成和电荷陷阱的影响，即使在三维层叠结构中也能获得高读取电流
我们已经提出了一种铁电HfO2栅极绝缘体FeFET，其沟道是金属氧化物半导体IGZO。
使用这种器件结构，可以在IGZO和铁电HfO2之间抑制低介电常数界面层的形成。
点
在硅沟道中，形成具有低介电常数的界面层，这使得难以在低电压下操作并且具有低可靠性。
我们已经成功地开发了具有优异开关特性的高迁移率晶体管型铁电存储器，使用非常薄的金属氧化物半导体IGZO作为沟道。
该技术将大大提高物联网设备的能效，并有望开发出更先进，更完整的网络和服务。