SiC power semiconductors: 世界大手の製品一覧！
Une liste des produits leaders mondiaux !
Eine Liste der weltweit führenden Produkte!
A list of the world’s leading products!
SiC功率半導體：全球領先產品一覽！
ーＳｉＣパワー半導体がなぜ使われるようになったのか？ー
半導体メーカー各社：
「ＥＶモーター制御用インバーター向け、ＳｉＣパワー半導体の提案」に力を注いでいる。
ＳｉＣ半導体搭載製品：
「車載用パワーモジュールや、駆動用ゲートドライバーＩＣ製品」に加え、
「自動車メーカーの開発コスト削減策を組み合わせた提案」が主流だ。
日本ルネサスエレクトロニクス/ゲートドライバーＩＣ：
１月２５日、ＥＶインバーター向けに、「ＳｉＣ駆動用ゲートドライバーＩＣのサンプル出荷」を始めた。
２０２４年１―３月の量産を開始する。
急速充電性能を高め、「ＥＶバッテリー・バス電圧が、８０0vまで高まること」に対応した。
耐電圧性能を、「従来品の７００ボルトから１２００ボルトに高めた」とのこと。
ＳｉＣの特徴：
Ｓｉ製パワー半導体よりも耐圧性能が高い。
- インバーター効率を上げるスイッチング可能で、
- ＥＶ走行距離を伸ばすための採用が増えている。
スイスＳＴマイクロエレクトロニクス/ＥＶインバーター：
ー１２００Vまでの耐圧性能を持つＳｉＣパワー半導体モジュールー
「ＡＣＥＰＡＣＫ」をＥＶインバーター向けに提案する。
ＳｉＣを産業用に販売してきたが、ＥＶ向けの需要増に対応する。
ー２年前から車載用に展開ー
北米や中国でのＥＶ搭載実績を訴求し、日本の車メーカーを開拓する。
米国アナログ・デバイセズ/ゲートドライバーＩＣ：
２０２２年１１月、ＥＶインバーター用ＳｉＣパワー半導体を駆動するゲートドライバーＩＣを発表した。
２０２３年内に量産開始を予定する。
米国ウルフスピード/ＥＶインバーター：
インバーター制御用マイコンを手がける、仏シリコンモビリティーと協力して、インバーターを開発した。
- 出力３００キロワットのインバーターを特定顧客に提供する。
- システム動作の中でゲートドライバーの性能を評価してもらう。
こうした傾向には各社が対応している。
米国ＳＴマイクロ/パワーモジュール：
ー共通回路構成を集約して、小型パッケージで顧客提供ー
電流、電圧に応じて搭載する半導体素子を選べる。
顧客が他社製品と比較しやすく、設計コストも抑えられるようにして、
製品性能やラインアップなどで差別化を図る。
ニュースイッチ
酸化ガリウム/１００mmウエハー：世界初、最大1200ボルト電圧に耐える！
ー次世代パワー半導体：ウエハーに酸化ガリウムを使用ー
ノベルクリスタルテクノロジー：
２０２０年度から、「ＮＥＤＯとパワー半導体ダイオードの開発」を進めている。
２０２１年６月、
世界で初めて「酸化ガリウムの１００ミリウエハー量産」に成功した。
「従来よりも高電圧に対応できるダイオード」を試作した。
ーウエハーに酸化ガリウムなどを使った次世代パワー半導体ー
「シリコンを材料とする従来のパワー半導体」に比べ、「より効率的に電力を制御できる」のだ。
省電力・性能の高さから、「ＥＶや風力発電などへの用途拡大」が期待される。
ニュースイッチ
ルネサスがxEV向けインバータに搭載するIGBTやSiC駆動用ゲートドライバICを開発。絶縁耐圧3.75kVrmsにより、1200V耐圧のパワーデバイスに対応 ｜ Motor-FanTECH.[モーターファンテック]
https://motor-fan.jp/tech/article/30438/
Semi-conducteurs de puissance SiC : Une liste des produits leaders mondiaux !
– Pourquoi les semi-conducteurs de puissance SiC ont-ils été utilisés ? ー
Fabricants de semi-conducteurs :
Nous nous concentrons sur “la proposition de semi-conducteurs de puissance SiC pour les onduleurs pour le contrôle des moteurs EV”.
Produits avec semi-conducteur SiC :
En plus des “modules d’alimentation embarqués et des produits IC de pilote de grille d’entraînement”,
Le mainstream est “une proposition qui combine les mesures de réduction des coûts de développement des constructeurs automobiles”.
Japon Renesas Electronics/Gate driver IC :
Le 25 janvier, nous avons commencé “l’expédition d’échantillons de circuit intégré de pilote de porte pour la conduite SiC” pour les onduleurs EV.
La production en série débutera de janvier à mars 2024.
Les performances de charge rapide ont été améliorées pour prendre en charge l’augmentation de la tension du bus de batterie EV jusqu’à 800 V.
On dit que les performances de tension de tenue ont été améliorées de 700 volts du produit conventionnel à 1200 volts.
Caractéristiques du SiC :
Performances de tension de tenue supérieures à celles des semi-conducteurs de puissance Si.
Commutable pour augmenter l’efficacité de l’onduleur,
L’adoption augmente pour étendre l’autonomie des véhicules électriques.
Onduleur suisse STMicroelectronics/EV :
-Module semi-conducteur de puissance SiC avec tension de tenue jusqu’à 1200V-
Proposer “ACEPACK” pour les onduleurs EV.
Nous vendons du SiC à usage industriel, mais nous répondrons à la demande croissante de véhicules électriques.
– Développé pour une utilisation en véhicule il y a deux ans –
Faisant appel aux réalisations de l’installation de véhicules électriques en Amérique du Nord et en Chine, nous développerons les constructeurs automobiles japonais.
Analog Devices, États-Unis/Gate Driver IC :
En novembre 2022, la société a annoncé un circuit intégré de pilote de grille qui pilote des semi-conducteurs de puissance SiC pour les onduleurs EV.
La production de masse devrait démarrer en 2023.
Onduleur US Wolfspeed/EV :
L’onduleur a été développé en coopération avec French Silicon Mobility, qui gère les micro-ordinateurs pour le contrôle de l’onduleur.
Il fournira des onduleurs de 300 kW à des clients spécifiques.
Demandez-leur d’évaluer les performances du pilote de porte pendant le fonctionnement du système.
Les entreprises réagissent à ces tendances.
Micro/module d’alimentation US ST :
– Fournir aux clients un petit package en consolidant les configurations de circuits courantes –
L’élément semi-conducteur à monter peut être choisi en fonction du courant et de la tension.
Pour faciliter la comparaison des clients avec les produits d’autres entreprises et réduire les coûts de conception,
Nous nous efforcerons de nous différencier en termes de performances et de gamme de produits.
nouvel interrupteur
Oxyde de gallium/wafer de 100 mm : le premier au monde à résister à une tension allant jusqu’à 1 200 V !
ー Semi-conducteur de puissance de nouvelle génération : utilisation d’oxyde de gallium pour les wafers ー
Nouvelle technologie cristalline :
Depuis 2020, nous promouvons le “Développement des diodes semi-conductrices de puissance avec NEDO”.
juin 2021,
Réussite dans la production de masse de tranches de 100 mm d’oxyde de gallium pour la première fois au monde.
Nous avons prototypé une “diode capable de gérer des tensions plus élevées que les tensions conventionnelles”.
ー Semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération utilisant de l’oxyde de gallium et d’autres matériaux pour les plaquettes ー
Comparés aux « semi-conducteurs de puissance conventionnels en silicium », ils « peuvent contrôler la puissance plus efficacement ».
En raison de son économie d’énergie et de ses hautes performances, il devrait étendre son application aux véhicules électriques et à la production d’énergie éolienne.
nouvel interrupteur
Renesas a développé des IGBT et des circuits intégrés de commande de grille d’entraînement SiC pour les onduleurs xEV. La tension d’isolation de 3,75 kVrms prend en charge les appareils d’alimentation 1200 V | Motor-FanTECH.
SiC-Leistungshalbleiter: Eine Liste der weltweit führenden Produkte!
– Warum kamen SiC-Leistungshalbleiter zum Einsatz? ー
Halbleiterhersteller:
Wir konzentrieren uns auf das „Vorschlagen von SiC-Leistungshalbleitern für Wechselrichter zur Motorsteuerung von Elektrofahrzeugen“.
Produkte mit SiC-Halbleiter:
Zusätzlich zu “fahrzeuginternen Leistungsmodulen und Drive-Gate-Treiber-IC-Produkten”
Der Mainstream sei “ein Vorschlag, der die Entwicklungskostensenkungsmaßnahmen der Autohersteller kombiniert”.
Japan Renesas Electronics/Gate-Treiber-IC:
Am 25. Januar haben wir mit der „Musterlieferung von Gate-Treiber-ICs für die SiC-Ansteuerung“ für EV-Wechselrichter begonnen.
Die Massenproduktion beginnt von Januar bis März 2024.
Die Schnellladeleistung wurde verbessert, um die Erhöhung der Busspannung der EV-Batterie auf bis zu 800 V zu unterstützen.
Es wird gesagt, dass die Stehspannungsleistung von 700 Volt des herkömmlichen Produkts auf 1200 Volt verbessert wurde.
Eigenschaften von SiC:
Höhere Spannungsfestigkeit als Si-Leistungshalbleiter.
Umschaltbar zur Erhöhung des Wechselrichterwirkungsgrades,
Die Akzeptanz nimmt zu, um die Reichweite von Elektrofahrzeugen zu erhöhen.
Schweizer STMicroelectronics/EV Wechselrichter:
-SiC-Leistungshalbleitermodul mit Spannungsfestigkeit bis 1200V-
Vorschlag von „ACEPACK“ für EV-Wechselrichter.
Wir haben SiC für den industriellen Einsatz verkauft, aber wir werden auf die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen reagieren.
– Vor zwei Jahren für den Einsatz im Fahrzeug entwickelt –
Unter Berufung auf die Errungenschaften der Installation von Elektrofahrzeugen in Nordamerika und China werden wir japanische Automobilhersteller entwickeln.
Analog Devices, USA/Gate-Treiber-IC:
Im November 2022 kündigte das Unternehmen einen Gate-Treiber-IC an, der SiC-Leistungshalbleiter für EV-Wechselrichter ansteuert.
Die Massenproduktion soll 2023 starten.
US-Wolfspeed/EV-Wechselrichter:
Der Wechselrichter wurde in Zusammenarbeit mit der französischen Firma Silicon Mobility entwickelt, die Mikrocomputer zur Wechselrichtersteuerung vertreibt.
Es wird 300-kW-Wechselrichter an bestimmte Kunden liefern.
Lassen Sie sie die Leistung des Gate-Treibers während des Systembetriebs bewerten.
Unternehmen reagieren auf diese Trends.
US ST Mikro-/Leistungsmodul:
– Bereitstellung eines kleinen Pakets für Kunden durch Konsolidierung gemeinsamer Schaltungskonfigurationen –
Das zu montierende Halbleiterelement kann nach Strom und Spannung ausgewählt werden.
Um den Kunden den Vergleich mit den Produkten anderer Unternehmen zu erleichtern und die Designkosten zu senken,
Wir werden uns bemühen, uns in Bezug auf Produktleistung und Produktpalette zu differenzieren.
neuer Schalter
Galliumoxid/100-mm-Wafer: Der weltweit erste, der einer Spannung von bis zu 1200 V standhält!
ーLeistungshalbleiter der nächsten Generation: Verwendung von Galliumoxid für Waferー
Neuartige Kristalltechnologie:
Seit 2020 fördern wir „Entwicklung von Leistungshalbleiterdioden mit NEDO“.
Juni 2021,
Erfolgreiche Massenproduktion von 100-mm-Wafern aus Galliumoxid zum ersten Mal weltweit.
Wir haben einen Prototyp einer “Diode entwickelt, die höhere Spannungen als herkömmliche aushalten kann”.
ーLeistungshalbleiter der nächsten Generation mit Galliumoxid und anderen Materialien für Waferー
Im Vergleich zu “herkömmlichen Leistungshalbleitern aus Silizium” könnten sie “Leistung effizienter steuern”.
Aufgrund seiner Energieeinsparung und hohen Leistung wird erwartet, dass es seine Anwendung auf Elektrofahrzeuge und die Windkrafterzeugung ausweitet.
neuer Schalter
Renesas hat IGBTs und SiC-Drive-Gate-Treiber-ICs für xEV-Wechselrichter entwickelt. 3,75kVrms Isolationsspannung unterstützt 1200V Leistungsgeräte | Motor-FanTECH.