ギガフォトン：ArFi光源GT66Aを量産：EUVの微細化（動画）：
Gigaphoton: Mass product of ArFi light source GT66A: EUV miniaturization:
Gigaphoton：大规模生产ArFi光源GT66A：EUV的小型化
ーテクノロジーシフトを加速する新技術ー
2020年12月16日
ギガフォトン：
2020年12月16日、半導体リソグラフィ用光源メーカー・ギガフォトン（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 浦中克己）
新技術を採用した、最新半導体製造ArF液浸用リソグラフィ光源「GT66A」
量産出荷を、開始したと発表しました。
最先端デバイス製造：
現在、ロジックデバイスでは、
3nmノードのプロセス開発が開始、
DRAMでは1Znmノードの量産が開始されています。
超微細デバイスでは、ウエハに転写される露光パターンのラフネス低減が、課題となっています。
「回路パターンを忠実に再現し、量産でのイールド向上すること」が、最重要の課題。
新型ArF液浸用光源「GT66A」：
- 光学モジュールを新開発。
- 「パルス発光時間を従来の3倍以上伸長すること」に成功、
- 露光面でのビーム均一性の改善を実現。
ラフネスを低減することに成功しました。
ASMLの光源として認定：
更に、最新の高耐久性部品を導入するば、モジュールのメンテナンスサイクルを30%延長出来ます。
GT66Aは、この度、オランダ大手ASML社の最新ArF液浸露光装置NXT:2050i用光源としての認定が完了。
エンドユーザに向けた光源の量産出荷が開始されます。
Welcome to Gigaphoton
https://www.gigaphoton.com/ja/news/6618
EUV露光装置の基本構成：図で解説
図は、EUV露光装置の基本構成を示している。
EUVの機能モジュールには：
- レーザー励起型プラズマ光源（以下、光源）、
- 照明光学系、
- 反射型マスク、
- 投影光学系、
- ウエハステージがある。
米Cymerが製造した光源：
現在のところ、ASML傘下の米サイマー（Cymer）が、光源を製造している。
米政府の輸出見直し：
米政府がオランダ政府に圧力をかけた結果、ASMLはSMICへEUVの出荷ができなくなった。
その原因の1つが、「米国籍の企業CymerがEUVの極めて重要なモジュールである光源をつくっていること」にある。
今後もASMLは、「Cymerが製造した光源が使われているEUV」を、SMICに輸出することはできないだろう。
日本のギガフォトン製造の光源：
ところが、EUV光源をつくれる企業は、もう1社ある。
それは、日本のギガフォトンである。
現在、TSMCやサムスンが7～5nmの量産に適用しているEUVには、ギガフォトンではなく、Cymer製の光源が、搭載されている。
“プリパルス”技術の由来：
ASMLのEUV光源を、「Cymerからギガフォトンに代えること」も考えられる。
というのは、「Cymerが、EUV光源に使用している“プリパルス”という技術」は、もともと「ギガフォトンが、開発したもの」なのです。
“プリパルス”とは、レーザーを2段階で、スズの液滴に照射する技術のこと。
EUV光源を、米サイマーから日本のギガフォトンに代えれば、ASMLは、EUVをSMICに輸出することができるようになるだろう。
JBpress（Japan Business Press）
https://jbpress.ismedia.jp/articles/-/63474
NEDO：EUVパイロット光源で、世界最高水準の発光効率5％を実証
ーNEDOプロジェクトにおいてー
ギガフォトン（株）：
最先端半導体製造ラインでの稼働を想定したEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ光源を完成させました。
出力105Ｗの安定運転と、世界最高水準である発光効率5％を実証しました。
この運転実証の成功により、最先端半導体製造ラインの実現に大きく近づきました。
NEDO
https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100659.html
Gigaphoton Begins Mass Production and Shipment of the ARFi GT66A Light Source Compatible with Cutting-Edge Miniaturization Technologies
December 16, 2020
Equipped with New Technologies to Accelerate a Technological Shift
Oyama, Tochigi; December 16, 2020, GIGAPHOTON Inc. (Head office: Oyama, Tochigi; President & CEO: Katsumi Uranaka), a manufacturer of light sources for semiconductor lithography,
has announced the start of mass production and shipment of the ArF immersion “GT66A” light source using new technologies for state-of-the-art semiconductor lithography manufacturing.
GT66A is now certified as a light source for the latest ARF immersion lithography equipment NXT:2050i by ASML, the leading Dutch company,
and mass production and shipment of the light source to end-users will now commence.
Leading-edge device manufacturing
has now begun with the process development of 3 nm nodes for logic devices and mass production of 1 Znm DRAM.
the yield in mass production
For these ultra-fine devices, reducing the roughness of the exposure patterns transferred to wafers is a challenge.
It is important to reproduce the circuit pattern precisely and increase the yield in mass production.
The new ArF immersion “GT66A” light source
is equipped with a newly developed optical module that successfully improves the beam uniformity on the exposed surface and reduces the roughness by increasing the temporal coherence length by at least 3 times that of the existing model.
The maintenance cycle of the module
has been extended by 30% with the introduction of the latest components with high durability.
Katsumi Uranaka, President and CEO of GIGAPHOTON, said:
“In recent years, semiconductor chips are required to support even faster communication speeds and process larger amounts of data.
This is mainly supported by the miniaturization of logic and memory semiconductors and requires higher productivity through further innovation of lithography technology.
GIGAPHOTON
will continue its contribution to the development of the next generation of industries by improving the imaging performance through technological innovation and increasing the availability of light sources.”
Welcome to Gigaphoton