産総研：SiCウェハ鏡面研磨速度を12倍に：パワー半導体用（動画）：
AIST:SiC wafer mirror polishing speed increased by 12 times:
AIST：SiC晶圆镜面抛光速度提高12倍：用于功率半导体
－高速化が難しかったSiCラッピング加工工程を大幅改善－
開発の概要：
- SiCウェハの鏡面研磨を、従来より12倍の速度で達成
- 研磨高速化で課題だった摩擦熱と砥粒切れ問題を解決
- 複数枚ウェハを同時加工するバッチ式研磨で、加工時間を大幅短縮
産業技術総合研究所：
株式会社ミズホ：
不二越機械工業：SiCウェハの平坦化を高速で達成するラッピング技術を開発した。
特に、低速度だった鏡面化工程では従来の12倍の研磨速度が得られた。
枚様式加工法の鏡面研削工程に匹敵する。
新たなバッチ式加工技術を確立した。
本技術の詳細：
2021年9月1日よりオンラインで開催される砥粒加工学会学術講演会（ABTEC2021）にて、報告される。
SiCウェハ製造コスト削減：
SiCウェハの普及拡大には、「パワー素子基板・SiCウェハ製造コストの低減」が、最も重要である。
SiCウェハ加工の量産性向上：
SiCウェハ加工工程には、高速化および並列処理も必要である。
現状の問題点：
現在、SiCウェハの量産効率が悪い。
SiCウェハは、極めて加工の難しい高硬脆材料である。
現在のSiCウェハ平坦化は、研削加工あるいは研磨加工で行われている。
研削加工
研削加工は、枚葉式で量産効率が悪い。研磨加工
研磨加工は、バッチ式で複数枚一括処理が可能である。単位時間あたり処理枚数では、6倍以上の時間がかかっている。
今後、効率生産技術が必要：
SiCウェハは、6インチから8インチへ大口径化が進む。
今後、市場拡大に伴い量産規模が増大する。
SiCウェハを今より効率よく生産できる加工技術が必要だ。
従来のウェハの平坦化技術：
ラッピングやポリッシングに代表される研磨技術が、
量産に向いたバッチ式加工技術として知られている。
- しかし、バッチ式加工技術では、
- 定盤の遠心力のためスラリーが切たり、
- 摩擦熱で、研磨できない課題があり、
研磨速度を高められなかった。
新たにダイヤモンド定盤を開発：
そこで、ダイヤモンド砥石を定盤に成型した固定砥粒定盤を作製した。
高速研磨装置と組み合わせることで、問題解決を試みた。
研究の結果：
従来、金属定盤とスラリーでの加工：
金属定盤とスラリーを使った加工では定盤回転数200 rpm超で加工が困難となった。今回、固定砥粒定盤を用いた加工：
700 rpmにおいても定盤回転数と研磨速度が比例することを確認した。新旧の比較結果：
スラリーを用いた加工条件（荷重200 g/cm2、回転数：50 rpm）で比較した。
- 新方式は旧方式に比し、12倍の研磨速度である。
- 新方式の高速研磨されたSiCウェハのRaは、0.5 nmである。
従来の鏡面研削加工と同等の表面品質を達成している。
これら結果で「固定砥粒定盤と高速研磨装置との組み合わせの優位性」が示された。
https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210831_2/pr20210831_2.html