Semiconductors at University of Tsukuba : 800℃で動作することを実証！
Démonstration de fonctionnement à 800°C !
Demonstration des Betriebs bei 800°C!
Demonstration of operation at 800°C!
筑波大學半導體：800°C 運行演示！
ー900℃まで測定できる電気特性評価装置で証明ー
ー地下開発、鉄鋼、宇宙/航空産業などで活用ー
PC Watch掲載記事から、要約レポートをお届けします。
筑波大学の奥村宏典助教
筑波大学の半導体素子:
奥村宏典助教の研究チームが、「800℃を超える厳環境で、利用可能な半導体素子」を開発した。
シリコン半導体の限界：
シリコン半導体は、300℃で動作に異常をきたす。
そのため、地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺部などに使えない。
300℃を超える環境で動作する半導体には、別の素子が求められている。
高温環境下での半導体動作：
絶縁体に近い材料を用いる必要がある。
窒化アルミニウム(AlN)結晶ダイオード：
すでに、「AlN結晶を使ったダイオードやトランジスタ」で、動作した報告例がある。
「AlN素子が高温体制に優れている」という理論もある。
しかし、電気特性を調べる装置には制約があり、「素子動作を実証できるのは500℃以下」に限られていた。
900℃まで測定できる電気特性評価装置：
この研究では、900℃まで測定できる電気特性評価装置を用いた。
優れた結晶品質を持つ独自のAlN試料でダイオードとトランジスタの制作と評価を行なった。
AlN試料の制作と評価結果：
この結果、「ダイオードは827℃、トランジスタは727℃での動作」に成功した。
またこの素子に対して、「ニッケル(Ni)電極は827℃でも、安定して利用できること」が分かった。
サファイア基板上にAlN層を使用：
サファイアは、大面積の試料を、低価格で入手できる。
サファイア基板上に、AlN層を用いている。
なるべく、シンプルな構造の素子で、耐熱性を実現した。
AlN素子の実用性：
AlN素子は実用性にも優れている。
本技術は、地下開発、鉄鋼、宇宙/航空産業への貢献が期待される。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1513288.html
Semiconducteurs à l’Université de Tsukuba : Démonstration de fonctionnement à 800°C !
– Éprouvé par un équipement d’évaluation des propriétés électriques capable de mesurer jusqu’à 900°C –
-Utilisé dans le développement souterrain, l’acier, l’industrie spatiale/aéronautique, etc.-
A partir de l’article publié dans PC Watch, nous vous livrerons un rapport de synthèse.
Halbleiter an der Universität Tsukuba: Demonstration des Betriebs bei 800°C!
– Bewährt durch Geräte zur Bewertung der elektrischen Eigenschaften, die bis zu 900 °C messen können –
-Wird in der Untergrundentwicklung, in der Stahl-, Raumfahrt-/Luftfahrtindustrie usw. verwendet.-
Aus dem in PC Watch veröffentlichten Artikel werden wir einen zusammenfassenden Bericht liefern.