筑波大學半導體：800°C 運行演示！
– 通過可測量高達 900°C 的電氣特性評估設備證明 –
-用於地下開發、鋼鐵、航天/航空工業等-
我們將根據PC Watch上發表的文章進行總結報告。
Hironori Okumura，筑波大學助理教授
筑波大學的半導體器件：
由助理教授 Hironori Okumura 領導的研究小組開發了
一種“可在超過 800°C 的惡劣環境下使用的半導體器件”。
矽半導體的局限性：
矽半導體在 300°C 時會發生故障。
因此不能用於地下資源挖掘、
太空探索、發動機周邊等。
在 300°C 以上環境中運行的半導體需要不同的器件。
半導體在高溫環境下工作： 必須使用接近絕緣體的材料。
氮化鋁（AlN）晶體二極管：
已經有關於“使用 AlN 晶體的二極管和晶體管”運行的報導。
還有一種理論認為“AlN元素在高溫狀態下更優越”。
然而，用於檢查電氣特性的設備存在限制，並且僅限於“可以證明設備操作的500°C或更低”。
在藍寶石襯底上使用 AlN 層：
藍寶石可以低成本提供大面積樣品。
藍寶石基板上使用AlN層。
通過盡可能簡單的結構實現了耐熱性。
AlN元件的實用性：
AlN元件在實際應用中也很出色。
該技術有望為地下開發、鋼鐵和航天/航空工業做出貢獻。