SK Hynix: ナノインプリント露光装置を導入！
Lancement de l’équipement d’exposition nanoimpression !
Einführung Nanoimprint-Belichtungsausrüstung!
Introduced nanoimprint exposure equipment!
推出納米壓印曝光設備！
ー3DNAND型フラッシュメモリーを量産ー
SKハイニックス：
今年、日本のキヤノンから、ナノインプリント露光装置を導入する。
3DNAND型フラッシュメモリー：
2025年に、ナノインプリント露光装置を使い、3DNAND型フラッシュメモリーの量産を開始する。
研究開発の状況：
「3D NAND型フラッシュメモリー生産の適用テスト」を進めている。
テスト結果は順調で、量産用設備を追加発注する。
ナノインプリント露光装置を採用：
「最先端半導体製造プロセスで使うEUV」の次世代装置である。
これまでは研究開発レベルでの採用にとどまっていた。
ナノインプリント露光装置の特徴：
次世代の露光技術として脚光を浴びてきたナノインプリント露光装置
ナノパターンが刻まれたスタンプを使い、
印鑑を押すようにシリコンウエハー上に
ナノパターンを転写するのが特徴だ。
液体である紫外線感光液をシリコン基板上にコーティングした後、透明なスタンプを接触させ圧力を加えるとスタンプとの間にパターンを形成。
その後、光を投射してパターンを固体化する。安価な紫外線を光源として使用する。
レンズを使わず経済的：
従来のArF液浸露光装置や、2000億ウォンもするEUV露光装置より、レンズを使わず経済的だ。
「ArF設備で形成できる回路線幅の限界値」は、38nmにとどまる。
従来のダブルパターニング技術：
従来のArF液浸露光装置では、回路パターン処理を2回使用する、
ダブルパターニング技術を導入し、20nm以下まで微細化を進めてきた。
ダブルパターニングの欠点：
しかし、マルチパターニングの工程では、生産時間が長くなりる。
蒸着やエッチングなどに使う設備の導入も、増やさなければならない。
スペースを取るため、生産ライン全体の生産量が減るデメリットが大きい。
ナノインプリントが優位：ーSKハイニックス関係者の意見ー
既存のArF液浸露光装置では、数回パターニングを行わなければならない。
工程の数が増え、生産コストが増大。
既存工程では、通常4回のマルチパターニングが必要。
「ナノインプリント露光装置がコスト面ではるかに優れていること」を確認した。NAND型フラッシュメモリー生産に採用：
ただ、ナノインプリント露光装置もまだ完全なものではない。
EUVに比べ、パターン形成の自由度が落ちる。
「一定パターンを維持するNAND型フラッシュメモリーの生産」に優先的に採用する。
ナノインプリント露光装置の商用化：
ーNAND型フラッシュメモリー業者ー
200層台から工程難度が高まっている、
3D NAND型フラッシュメモリーの分野で、生産性を高めることができる。
ライバル会社
サムスン電子「マルチパターニング工程導入によるコスト上昇問題」の解決で、いち早く極EUV露光設備を導入した。
また、「」ナノインプリント露光装置を含む3－4種類のソリューション」を開発中。
（朝鮮日報日本語版） – Yahoo!ニュース
https://news.yahoo.co.jp/articles/34ff04650023ba655f83bf27e83a8a562c53de92
Corée SK Hynix : Lancement de l’équipement d’exposition par nanoimpression !
– Production en série de mémoire flash 3D NAND –
SK Hynix :
Cette année, nous introduirons l’équipement d’exposition par nanoimpression de Canon au Japon.
Mémoire flash NAND 3D :
En 2025, nous lancerons la production de masse de mémoire flash NAND 3D à l’aide d’un équipement d’exposition par nanoimpression.
Statut R&D :
La société procède au test d’application pour la production de mémoire flash 3D NAND.
Les résultats des tests sont favorables et une commande supplémentaire sera passée pour des équipements de production en série.
Adopter un équipement d’exposition à la nanoimpression :
Il s’agit de l’équipement de nouvelle génération pour “EUV utilisé dans les processus de fabrication de semi-conducteurs de pointe”.
Jusqu’à présent, il n’était utilisé qu’au niveau de la recherche et du développement.
Caractéristiques de l’équipement d’exposition par nanoimpression :
L’équipement d’exposition Nanoimprint a été à l’honneur en tant que technologie d’exposition de nouvelle génération
A l’aide de tampons gravés de nanomotifs,
Sur la tranche de silicium comme presser un sceau
Il se caractérise par le transfert de nanopatterns.
Après revêtement du substrat de silicium avec le liquide liquide sensible à la lumière ultraviolette,
Lorsque le tampon transparent est mis en contact et qu’une pression est appliquée, un motif se forme entre le tampon et le tampon.
La lumière est ensuite projetée pour solidifier le motif. Une lumière ultraviolette peu coûteuse est utilisée comme source de lumière.
Economique sans objectif :
Comparé à l’équipement d’exposition par immersion ArF conventionnel et à l’équipement d’exposition EUV coûtant 200 milliards de wons, il n’utilise pas de lentilles et est plus économique.
La “valeur limite de la largeur de ligne de circuit qui peut être formée avec un équipement ArF” reste à 38 nm.
Technologie conventionnelle de double structuration :
L’équipement de lithographie par immersion ArF conventionnel utilise deux fois le traitement des motifs de circuit.
Introduction de la technologie de double motif et de la miniaturisation avancée jusqu’à 20 nm ou moins.
Inconvénients du double motif :
Cependant, le processus de multi-motifs augmente le temps de production.
Nous devons également augmenter l’introduction d’équipements utilisés pour le dépôt en phase vapeur et la gravure.
Comme il prend de la place, l’inconvénient est que le volume de production de toute la chaîne de production est réduit.
Avantage de la nanoimpression :
-Opinions des responsables de SK Hynix-
L’équipement d’exposition par immersion ArF existant nécessite plusieurs étapes de structuration.
Le nombre de processus augmente et le coût de production augmente.
Les processus existants nécessitent généralement 4 étapes de multi-patterning.
Il a été confirmé que “l’équipement d’exposition à la nanoimpression est de loin supérieur en termes de coût”.
Adopté pour la production de mémoire flash NAND :
Cependant, l’équipement d’exposition par nanoimpression n’est pas encore parfait.
Par rapport à EUV, le degré de liberté de formation du motif est plus faible.
Il sera préférentiellement adopté pour “la production de mémoire flash NAND qui maintient un certain schéma”.
Commercialisation d’équipements d’exposition par nanoimpression :
ーFournisseur de mémoire flash de type NANDー
La difficulté du processus augmente à partir du 200e étage,
La productivité peut être augmentée dans le domaine de la mémoire flash 3D NAND.
entreprise rivale
Samsung Électronique
Afin de résoudre le “problème de l’augmentation des coûts due à l’introduction de procédés multi-motifs”, nous avons été parmi les premiers à introduire des équipements d’exposition extrême EUV.
De plus, « 3 à 4 types de solutions, y compris des équipements d’exposition à la nanoimpression » sont en cours de développement.
(Chosun Ilbo version japonaise)-Yahoo Actualités
Korea SK Hynix: Einführung einer Nanoimprint-Belichtungsausrüstung!
– Massenproduktion von 3D-NAND-Flash-Speicher –
SK Hynix:
Dieses Jahr werden wir in Japan Nanoimprint-Belichtungsgeräte von Canon vorstellen.
3D-NAND-Flash-Speicher:
Im Jahr 2025 werden wir mit der Massenproduktion von 3D-NAND-Flash-Speichern mithilfe von Nanoimprint-Belichtungsgeräten beginnen.
F&E-Status:
Das Unternehmen führt den Anwendungstest für die Produktion von 3D-NAND-Flash-Speichern fort.
Die Testergebnisse sind positiv und es wird eine zusätzliche Bestellung für Massenproduktionsausrüstung aufgegeben.
Einführung von Nanoimprint-Belichtungsgeräten:
Es handelt sich um die Ausrüstung der nächsten Generation für „EUV, das in hochmodernen Halbleiterfertigungsprozessen eingesetzt wird“.
Bisher wurde es nur auf der Forschungs- und Entwicklungsebene eingesetzt.
Merkmale von Nanoimprint-Belichtungsgeräten:
Nanoimprint-Belichtungsgeräte stehen als Belichtungstechnologie der nächsten Generation im Rampenlicht
Mit Stempeln, die mit Nanomustern graviert sind,
Auf den Siliziumwafer, als würde man eine Dichtung aufdrücken
Es zeichnet sich durch die Übertragung von Nanomustern aus.
Nach dem Beschichten des Siliziumsubstrats mit der flüssigen, für ultraviolettes Licht empfindlichen Flüssigkeit,
Wenn der transparente Stempel in Kontakt gebracht und Druck ausgeübt wird, entsteht zwischen Stempel und Stempel ein Muster.
Anschließend wird Licht projiziert, um das Muster zu verfestigen. Als Lichtquelle wird kostengünstiges ultraviolettes Licht verwendet.
Sparsam ohne Objektiv:
Im Vergleich zu herkömmlichen ArF-Immersionsbelichtungsgeräten und EUV-Belichtungsgeräten, die 200 Milliarden Won kosten, werden keine Linsen verwendet und es ist wirtschaftlicher.
Der „Grenzwert der mit ArF-Geräten formbaren Leiterbahnbreite“ bleibt bei 38 nm.
Konventionelle Doppelmusterungstechnologie:
Herkömmliche ArF-Immersionslithographiegeräte nutzen die Schaltungsmusterverarbeitung zweimal.
Einführung der Doppelstrukturierungstechnologie und fortschrittliche Miniaturisierung bis zu 20 nm oder weniger.
Nachteile der Doppelmusterung:
Durch den Multi-Patterning-Prozess erhöht sich jedoch die Produktionszeit.
Wir müssen auch die Einführung von Geräten zum Aufdampfen und Ätzen verstärken.
Aufgrund des Platzbedarfs besteht der Nachteil darin, dass das Produktionsvolumen der gesamten Produktionslinie reduziert wird.
Nanoimprint-Vorteil:
-Meinungen von SK Hynix-Funktionären-
Bestehende ArF-Tauchbelichtungsgeräte erfordern mehrere Strukturierungsschritte.
Die Anzahl der Prozesse nimmt zu und die Produktionskosten steigen.
Bestehende Prozesse erfordern normalerweise 4 Multi-Patterning-Schritte.
Es wurde bestätigt, dass „die Nanoimprint-Belichtungsausrüstung hinsichtlich der Kosten weit überlegen ist.“
Für die NAND-Flash-Speicherproduktion übernommen:
Allerdings sind Nanoimprint-Belichtungsgeräte noch nicht perfekt.
Im Vergleich zu EUV ist der Freiheitsgrad der Musterbildung geringer.
Es wird vorzugsweise für die „Herstellung von NAND-Flash-Speichern, die ein bestimmtes Muster beibehalten“, eingesetzt.
Kommerzialisierung von Nanoimprint-Belichtungsgeräten:
„Anbieter von NAND-Flash-Speichern“.
Die Schwierigkeit des Prozesses steigt ab der 200. Etage,
Im Bereich 3D-NAND-Flash-Speicher kann die Produktivität gesteigert werden.
Konkurrenzunternehmen
Samsung-Elektronik
Um das „Problem der steigenden Kosten durch die Einführung von Multi-Patterning-Prozessen“ zu lösen, gehörten wir zu den ersten, die Geräte zur extremen EUV-Belichtung einführten.
Darüber hinaus sind „3-4 Arten von Lösungen, einschließlich Nanoimprint-Belichtungsgeräten“ in der Entwicklung.
(Chosun Ilbo japanische Version) – Yahoo! News