キヤノン：5nm半導体露光装置を発売
Canon: Launch of 5nm semiconductor exposure equipment
佳能：推出5nm半導體曝光設備
ー光学系を省いたシンプル構造ー
ー5nmノード消費電力が1/10ー
ー3次元パターンを1回で形成ー
PC Watch掲載記事からサマリーをお届けします。
キヤノンのNIL技術：
独自の「ナノインプリント」(NIL)技術を採用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売。
半導体製造装置：「FPA-1200NZ2C」
半導体製造でもっとも重要となるのが、「回路パターンをウェハに転写する露光装置」だ。
従来の方法：
１．ウェハ上に塗布されたレジスト(樹脂)に光を照射。
２．そして回路を焼き付ける手法が一般的。
しかし、光学系という介在物がある。
そのため、「光源の波長による微細化」に依存していた。
キヤノンのNIL技術：
１．ウェハ上のレジストに、「回路パターン・マスクを押し付け」回路パターンを形成。
２．光学系を省くことで、「マスク上の微細回路パターンを忠実に再現すること」が可能。
複雑な2次元/3次元回路パターン：
「たった1回のインプリント」で、2次元/3次元形成できる。
光学系を省いたシンプル構造：
この光学系を省いたシンプルな構造を開発した。
5nmノード消費電力が1/10：
最先端ロジック向け露光技術(5nmノード/線幅15nm)の場合
消費電力が、従来の投影露光装置と比較して10分の1になる。
CO2削減に大きく貢献する。
XR向けメタレンズの製造：
「3次元パターンを1回で形成できる技術」を他分野に応用する。
「数十nm微細構造のXR向けメタレンズ」に、利用可能。
2nmノードへの対応：
現在、最先端ロジック半導体製造レベルである5nmノード/最小線幅14nmのパターンを形成できる。
今後、マスクを改良することで2nmノード/最小線幅10nmレベルに対応する。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1538780.html
Nanoimprint lithography semiconductor manufacturing system that covers diverse applications with simple patterning mechanism
Canon Global：
The new product employs newly developed environment control technology
that suppresses the contamination with fine particles in the equipment.
Nanoimprint lithography semiconductor manufacturing system：
This enables high-precision alignment which is necessary for the manufacture of semiconductors
with an increasing number of layers and the reduction of defects due to fine particles,
and enables the formation of fine and complex circuits,
contributing to the manufacture of cutting-edge semiconductor devices.
the manufacture of cutting-edge semiconductor devices：
Since the new product does not require a light source with a special wavelength for fine circuit,
it can reduce power consumption significantly compared to
the photolithography equipment for currently available most advanced logic semiconductors (5-nm-node with 15 nm linewidth),
thereby contributing to CO2 reduction.