DNP：ナノインプリントリソグラフィ：5nmノードに対応（動画）：
DNP: Nanoimprint lithography: Supports 5nm node：
DNP：纳米压印光刻：支持 5nm 节点
ー従来型リソグラフィ技術の現像工程が不要ー
大日本印刷（DNP）：
「第12回 高機能素材Week」（2021年12月8～10日、幕張メッセ）に出展。
カーボンニュートラルなど、環境負荷低減への事例を紹介。
ーDNPナノインプリントリソグラフィ（NIL）を展示ー
脱炭素社会の技術：
DNPナノインプリントリソグラフィによる、半導体製造向け超微細加工技術だ。
NILとは：
「基板材料に押し当てて、nm単位の超微細な凹凸を転写する技術」のこと。
「回路パターン用テンプレート（版の部分）の技術」が基になっている。
2003年
同社は2003年からNIL開発を開始。2015年
2015年に、NILの量産を開始。2021年
同社とキヤノン、キオクシアの3社が協力、「その技術を半導体製造における微細パターン形成に適用できる」ようにした。DNP：
これまでに培った「回路パターン用テンプレート製作技術」を提供。キヤノン：
回路パターン基板に、「詳細に転写するインプリント装置技術」を担う。キオクシア：
基板上のパターンを、「精密加工する半導体製造技術」を担う。5nmノードプロセス対応：
この技術は、「5nmノード世代の半導体製造プロセスにも対応可能」だ。
DNPのNIL：
「従来のリソグラフィ技術で使う現像工程」が不要となる。
「製造プロセスにおける大幅な低消費電力化」が可能。
それにより、半導体製造のカーボンニュートラルに貢献。
日経クロステック（xTECH）
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/11907/
大日印・キオクシア・キヤノンが開発する「ＮIＬ」
ー半導体製造消費電力が10分の１ー
大日本印刷
キオクシアホールディングス、
キヤノン、共同で開発を進めるナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）
ＮＩＬでの半導体製造：
「ＥＵＶ露光と比べ、消費電力を１０分の１に抑制できること」を明らかにした。
ＮＩＬは量産利用までに課題が多いが、現在、最先端の回路線幅形成に成功。
ＮＩＬとは：
ＮＩＬは、型をウエハーに押しつけて微細な回路パターンを形成する。
ＮＩＬは、技術開発用で回路線幅５ナノメートルノードまで対応可能という。
消費電力が１０分の１：
大日本印刷は装置の仕様値による内部シミュレーションを２０２１年春に実施。
回路形成工程の１ウエハー当たり消費電力を発表。
「ＥＵＶ露光使用時と比較し、１０分の１にできること」が分かった。
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