Korea SK Hynix: Introduced nanoimprint exposure equipment!
– Mass production of 3D NAND flash memory –
SK Hynix:
This year, we will introduce nanoimprint exposure equipment from Canon in Japan.
3D NAND flash memory:
In 2025, we will start mass production of 3D NAND flash memory using nanoimprint exposure equipment.
R&D status:
The company is proceeding with the application test for the production of 3D NAND flash memory.
The test results are favorable, and an additional order will be placed for mass production equipment.
Adopting nanoimprint exposure equipment:
It is the next-generation equipment for “EUV used in cutting-edge semiconductor manufacturing processes.”
Until now, it was only used at the research and development level.
Features of nanoimprint exposure equipment:
Nanoimprint exposure equipment has been in the spotlight as a next-generation exposure technology
Using stamps engraved with nanopatterns,
On the silicon wafer like pressing a seal
It is characterized by the transfer of nanopatterns.
After coating the silicon substrate with the liquid ultraviolet light sensitive liquid,
When the transparent stamp is brought into contact and pressure is applied, a pattern is formed between the stamp and the stamp.
Light is then projected to solidify the pattern. Inexpensive ultraviolet light is used as the light source.
Economical without a lens:
Compared to conventional ArF immersion exposure equipment and EUV exposure equipment costing 200 billion won, it does not use lenses and is more economical.
The “limit value of circuit line width that can be formed with ArF equipment” remains at 38 nm.
Conventional double patterning technology:
Conventional ArF immersion lithography equipment uses circuit pattern processing twice.
Introduced double patterning technology and advanced miniaturization down to 20 nm or less.
Drawbacks of double patterning:
However, the multi-patterning process increases the production time.
We must also increase the introduction of equipment used for vapor deposition and etching.
Since it takes up space, the disadvantage is that the production volume of the entire production line is reduced.
Nanoimprint Advantage:
-Opinions from SK Hynix officials-
Existing ArF immersion exposure equipment requires several patterning steps.
The number of processes increases, and the production cost increases.
Existing processes usually require 4 multi-patterning steps.
It was confirmed that “the nanoimprint exposure equipment is far superior in terms of cost.”
Adopted for NAND flash memory production:
However, nanoimprint exposure equipment is not yet perfect.
Compared to EUV, the degree of freedom of pattern formation is lower.
It will be preferentially adopted for “production of NAND flash memory that maintains a certain pattern”.
Commercialization of nanoimprint exposure equipment:
ーNAND type flash memory supplierー
The difficulty of the process increases from the 200th floor,
Productivity can be increased in the field of 3D NAND flash memory.
rival company
Samsung Electronics
In order to solve the “problem of rising costs due to the introduction of multi-patterning processes”, we were among the first to introduce extreme EUV exposure equipment.
In addition, “3-4 types of solutions including nanoimprint exposure equipment” are under development.
(Chosun Ilbo Japanese version)-Yahoo! News
https://news.yahoo.co.jp/articles/34ff04650023ba655f83bf27e83a8a562c53de92
Corée SK Hynix : Lancement de l’équipement d’exposition par nanoimpression !
– Production en série de mémoire flash 3D NAND –
SK Hynix :
Cette année, nous introduirons l’équipement d’exposition par nanoimpression de Canon au Japon.
Mémoire flash NAND 3D :
En 2025, nous lancerons la production de masse de mémoire flash NAND 3D à l’aide d’un équipement d’exposition par nanoimpression.
Statut R&D :
La société procède au test d’application pour la production de mémoire flash 3D NAND.
Les résultats des tests sont favorables et une commande supplémentaire sera passée pour des équipements de production en série.
Adopter un équipement d’exposition à la nanoimpression :
Il s’agit de l’équipement de nouvelle génération pour “EUV utilisé dans les processus de fabrication de semi-conducteurs de pointe”.
Jusqu’à présent, il n’était utilisé qu’au niveau de la recherche et du développement.
Caractéristiques de l’équipement d’exposition par nanoimpression :
L’équipement d’exposition Nanoimprint a été à l’honneur en tant que technologie d’exposition de nouvelle génération
A l’aide de tampons gravés de nanomotifs,
Sur la tranche de silicium comme presser un sceau
Il se caractérise par le transfert de nanopatterns.
Après revêtement du substrat de silicium avec le liquide liquide sensible à la lumière ultraviolette,
Lorsque le tampon transparent est mis en contact et qu’une pression est appliquée, un motif se forme entre le tampon et le tampon.
La lumière est ensuite projetée pour solidifier le motif. Une lumière ultraviolette peu coûteuse est utilisée comme source de lumière.
Economique sans objectif :
Comparé à l’équipement d’exposition par immersion ArF conventionnel et à l’équipement d’exposition EUV coûtant 200 milliards de wons, il n’utilise pas de lentilles et est plus économique.
La “valeur limite de la largeur de ligne de circuit qui peut être formée avec un équipement ArF” reste à 38 nm.
Technologie conventionnelle de double structuration :
L’équipement de lithographie par immersion ArF conventionnel utilise deux fois le traitement des motifs de circuit.
Introduction de la technologie de double motif et de la miniaturisation avancée jusqu’à 20 nm ou moins.
Inconvénients du double motif :
Cependant, le processus de multi-motifs augmente le temps de production.
Nous devons également augmenter l’introduction d’équipements utilisés pour le dépôt en phase vapeur et la gravure.
Comme il prend de la place, l’inconvénient est que le volume de production de toute la chaîne de production est réduit.
Avantage de la nanoimpression :
-Opinions des responsables de SK Hynix-
L’équipement d’exposition par immersion ArF existant nécessite plusieurs étapes de structuration.
Le nombre de processus augmente et le coût de production augmente.
Les processus existants nécessitent généralement 4 étapes de multi-patterning.
Il a été confirmé que “l’équipement d’exposition à la nanoimpression est de loin supérieur en termes de coût”.
Adopté pour la production de mémoire flash NAND :
Cependant, l’équipement d’exposition par nanoimpression n’est pas encore parfait.
Par rapport à EUV, le degré de liberté de formation du motif est plus faible.
Il sera préférentiellement adopté pour “la production de mémoire flash NAND qui maintient un certain schéma”.
Commercialisation d’équipements d’exposition par nanoimpression :
ーFournisseur de mémoire flash de type NANDー
La difficulté du processus augmente à partir du 200e étage,
La productivité peut être augmentée dans le domaine de la mémoire flash 3D NAND.
entreprise rivale
Samsung Électronique
Afin de résoudre le “problème de l’augmentation des coûts due à l’introduction de procédés multi-motifs”, nous avons été parmi les premiers à introduire des équipements d’exposition extrême EUV.
De plus, « 3 à 4 types de solutions, y compris des équipements d’exposition à la nanoimpression » sont en cours de développement.
(Chosun Ilbo version japonaise)-Yahoo Actualités
Korea SK Hynix: Einführung einer Nanoimprint-Belichtungsausrüstung!
– Massenproduktion von 3D-NAND-Flash-Speicher –
SK Hynix:
Dieses Jahr werden wir in Japan Nanoimprint-Belichtungsgeräte von Canon vorstellen.
3D-NAND-Flash-Speicher:
Im Jahr 2025 werden wir mit der Massenproduktion von 3D-NAND-Flash-Speichern mithilfe von Nanoimprint-Belichtungsgeräten beginnen.
F&E-Status:
Das Unternehmen führt den Anwendungstest für die Produktion von 3D-NAND-Flash-Speichern fort.
Die Testergebnisse sind positiv und es wird eine zusätzliche Bestellung für Massenproduktionsausrüstung aufgegeben.
Einführung von Nanoimprint-Belichtungsgeräten:
Es handelt sich um die Ausrüstung der nächsten Generation für „EUV, das in hochmodernen Halbleiterfertigungsprozessen eingesetzt wird“.
Bisher wurde es nur auf der Forschungs- und Entwicklungsebene eingesetzt.
Merkmale von Nanoimprint-Belichtungsgeräten:
Nanoimprint-Belichtungsgeräte stehen als Belichtungstechnologie der nächsten Generation im Rampenlicht
Mit Stempeln, die mit Nanomustern graviert sind,
Auf den Siliziumwafer, als würde man eine Dichtung aufdrücken
Es zeichnet sich durch die Übertragung von Nanomustern aus.
Nach dem Beschichten des Siliziumsubstrats mit der flüssigen, für ultraviolettes Licht empfindlichen Flüssigkeit,
Wenn der transparente Stempel in Kontakt gebracht und Druck ausgeübt wird, entsteht zwischen Stempel und Stempel ein Muster.
Anschließend wird Licht projiziert, um das Muster zu verfestigen. Als Lichtquelle wird kostengünstiges ultraviolettes Licht verwendet.
Sparsam ohne Objektiv:
Im Vergleich zu herkömmlichen ArF-Immersionsbelichtungsgeräten und EUV-Belichtungsgeräten, die 200 Milliarden Won kosten, werden keine Linsen verwendet und es ist wirtschaftlicher.
Der „Grenzwert der mit ArF-Geräten formbaren Leiterbahnbreite“ bleibt bei 38 nm.
Konventionelle Doppelmusterungstechnologie:
Herkömmliche ArF-Immersionslithographiegeräte nutzen die Schaltungsmusterverarbeitung zweimal.
Einführung der Doppelstrukturierungstechnologie und fortschrittliche Miniaturisierung bis zu 20 nm oder weniger.
Nachteile der Doppelmusterung:
Durch den Multi-Patterning-Prozess erhöht sich jedoch die Produktionszeit.
Wir müssen auch die Einführung von Geräten zum Aufdampfen und Ätzen verstärken.
Aufgrund des Platzbedarfs besteht der Nachteil darin, dass das Produktionsvolumen der gesamten Produktionslinie reduziert wird.
Nanoimprint-Vorteil:
-Meinungen von SK Hynix-Funktionären-
Bestehende ArF-Tauchbelichtungsgeräte erfordern mehrere Strukturierungsschritte.
Die Anzahl der Prozesse nimmt zu und die Produktionskosten steigen.
Bestehende Prozesse erfordern normalerweise 4 Multi-Patterning-Schritte.
Es wurde bestätigt, dass „die Nanoimprint-Belichtungsausrüstung hinsichtlich der Kosten weit überlegen ist.“
Für die NAND-Flash-Speicherproduktion übernommen:
Allerdings sind Nanoimprint-Belichtungsgeräte noch nicht perfekt.
Im Vergleich zu EUV ist der Freiheitsgrad der Musterbildung geringer.
Es wird vorzugsweise für die „Herstellung von NAND-Flash-Speichern, die ein bestimmtes Muster beibehalten“, eingesetzt.
Kommerzialisierung von Nanoimprint-Belichtungsgeräten:
„Anbieter von NAND-Flash-Speichern“.
Die Schwierigkeit des Prozesses steigt ab der 200. Etage,
Im Bereich 3D-NAND-Flash-Speicher kann die Produktivität gesteigert werden.
Konkurrenzunternehmen
Samsung-Elektronik
Um das „Problem der steigenden Kosten durch die Einführung von Multi-Patterning-Prozessen“ zu lösen, gehörten wir zu den ersten, die Geräte zur extremen EUV-Belichtung einführten.
Darüber hinaus sind „3-4 Arten von Lösungen, einschließlich Nanoimprint-Belichtungsgeräten“ in der Entwicklung.
(Chosun Ilbo japanische Version) – Yahoo! News