💡三菱電機、世界で初めてSiCパワー半導体素子の抵抗要因の影響度を解明
三菱電機株式会社と国立大学法人東京大学は、世界で初めて※1、パワー半導体モジュールに搭 載されるSiC※2パワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響 度を解明するとともに、要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により、界面下の抵抗が従 来比※3 3分の1に低減することを確認しました。
SiCパワー半導体素子の低抵抗化によるパワーエ レクトロニクス機器のさらなる省エネに貢献します。