🔬産総研：非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出できる技術を開発
－ラマンマッピングによる窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の高品質化を促進－
ポイント
- GaN半導体のラマンマッピング像から刃状成分の貫通転位を検出する技術を開発
- 欠陥の分布や方向を非破壊で特定することが可能
- GaN半導体単結晶の改良や歩留まり向上に期待
なお、この技術の詳細は、5月22日（英国時間）にApplied Physics Expressのオンライン版に掲載されます。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2018/pr20180522_2/pr20180522_2.html