🔬AIST：开发能够检测非破坏性下一代功率器件材料的晶体缺陷的技术
– 通过拉曼贴图推广更高质量的氮化镓（GaN）半导体晶体 –
点
- 基于GaN半导体拉曼成像图像探测叶片状部件螺纹位错的技术进展
- 能够非破坏性地识别缺陷分布和方向
- 期望改善GaN半导体单晶并提高产量
该技术的详细信息将于5月22日（英国时间）发布在Applied Physics Express的在线版本上。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2018/pr20180522_2/pr20180522_2.html