💡産総研：透過電子顕微鏡画像から結晶欠陥を容易に検出する技術を開発
欠陥の分布表示で次世代半導体のデバイスプロセス技術の改良を促進した。結晶構造の透過電子顕微鏡画像から原子レベルの欠陥を検出する画像処理技術を開発
- 次世代半導体デバイスの欠陥分布の可視化に成功
- 欠陥発生率の少ないデバイスプロセスの確立に貢献
- この技術の詳細は、9月19日に英国科学誌Nanotechnologyのオンライン版にAccepted Manuscriptとして掲載された。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170921/pr20170921.html